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o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

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Plano da bolacha de semicondutor 325um do nitreto do gálio 375um C

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qualidade GaN Epitaxial Wafer & Bolacha sic Epitaxial fábrica

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qualidade O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm fábrica

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Dimensões: ± 50,8 1 milímetro

Espessura: 350 ±25µm

Curva: - ≤ 10µm da CURVA do ≤ de 10µm

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qualidade Plano da bolacha de semicondutor 325um do nitreto do gálio 375um C fábrica

Plano da bolacha de semicondutor 325um do nitreto do gálio 375um C

Nome do produto: Única carcaça de cristal de GaN

Dimensões: ± 50,8 1 milímetro

Espessura: 350 ±25µm

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qualidade GaN Monocristal Nitreto de Gálio Wafer Tipo SI fábrica

GaN Monocristal Nitreto de Gálio Wafer Tipo SI

Dimensões: ² de 5 x de 10mm

Nome do produto: GaN Substrates autônomo

Espessura: 350 ±25µm

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qualidade M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um fábrica

M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um

Nome do produto: GaN Substrato

Dimensões: 5 x 10,5 mm²

Espessura: 350 ±25µm

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qualidade 5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxial Wafer Un Dopado Si Tipo Gan Substrato Monocristal fábrica

5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxial Wafer Un Dopado Si Tipo Gan Substrato Monocristal

Nome do produto: GaN Single Crystal Substrate autônomo

Dimensões: ² de 5 x10mm

Espessura: 350 ±25µm

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qualidade plano de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fora do ângulo para a M-linha central 0,35 ±0.15° fábrica

plano de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fora do ângulo para a M-linha central 0,35 ±0.15°

Dimensões: 10 x 10,5 mm²

Espessura: 350 ±25µm

Orientação: Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo M 0,35 ±0,15°

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qualidade 150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm Forma de cristal SiC Epitaxial Wafer 4H fábrica

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm Forma de cristal SiC Epitaxial Wafer 4H

Diâmetro: 150.0mm +0mm/-0.2mm

Nome do produto: Bolacha sic Epitaxial

Orientação de superfície: Fora-linha central: ° de 4°toward <11-20>±0.5

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qualidade Politipo Nenhum Permitido SiC Epitaxial Wafer P-MOS P-SBD D Grau fábrica

Politipo Nenhum Permitido SiC Epitaxial Wafer P-MOS P-SBD D Grau

Nome do produto: Bolacha sic Epitaxial

Comprimento liso preliminar: ± 1.5mm de 47.5mm

Diâmetro: 150.0mm +0mm/-0.2mm

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qualidade 4H bolacha sic Epitaxial 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm do Cm ≤4000/cm fábrica

4H bolacha sic Epitaxial 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm do Cm ≤4000/cm

Nome do produto: Bolacha sic Epitaxial

Diâmetro: 150.0mm +0mm/-0.2mm

Orientação de superfície: Fora-linha central: ° de 4°toward <11-20>±0.5

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qualidade 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm SiC Epitaxial Wafer 47,5 mm ± 1,5 mm fábrica

150,0 mm +0 mm/-0,2 mm SiC Epitaxial Wafer 47,5 mm ± 1,5 mm

Nome do produto: Bolacha sic Epitaxial

Orientação de superfície: Fora-linha central: ° de 4°toward <11-20>±0.5

Comprimento liso preliminar: ± 1.5mm de 47.5mm

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qualidade o P-MOS sic Epitaxial da bolacha 4H classifica 150,0 milímetros +0mm/-0.2mm 47,5 milímetros de ± 1,5 milímetros fábrica

o P-MOS sic Epitaxial da bolacha 4H classifica 150,0 milímetros +0mm/-0.2mm 47,5 milímetros de ± 1,5 milímetros

Nome do produto: Bolacha sic Epitaxial

Diâmetro: 150.0mm +0mm/-0.2mm

Orientação de superfície: Fora-linha central: ° de 4°toward <11-20>±0.5

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qualidade bolacha sic Epitaxial de 150.0mm +0mm/-0.2mm nenhum plano secundário 3mm fábrica

bolacha sic Epitaxial de 150.0mm +0mm/-0.2mm nenhum plano secundário 3mm

Nome do produto: Bolacha sic Epitaxial

Diâmetro: 150.0mm +0mm/-0.2mm

Orientação de superfície: Fora-linha central: ° de 4°toward <11-20>±0.5

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Aspereza Ra<1.5nm de AIN On Aluminum Nitride Wafer
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Wafer epitaxial de cristal único Ra 0,3nm Ga2O3 2 polegadas 4 polegadas
Sn Doping Ga2O3 Wafer Substrato monocristal 10x10mm2
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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. é uma empresa especializada em materiais, equipamentos, serviços de teste e análise e consultoria técnica relacionados à tecnologia de semicondutores de banda larga.Fundada em 2020, somos uma subsidiária integral da Suzhou Nanowin Technology Co., Ltd. Nossa equipe possui profunda acumulação tecnológica e ricos recursos de clientes na indústria de semicondutores e está empenhada em agregar valor à cadeia industrial por meio do fluxo de conhecimento...
Perfil do QC
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. é uma empresa de alta tecnologia dedicada ao desenvolvimento de tecnologias para fabricar materiais semicondutores de nitreto de alta qualidade.A principal vantagem da GaNova é a experiência inigualável em materiais e possui patentes essenciais no substrato GaN e tecnologias de crescimento.A GaNova oferece substrato GaN autônomo padrão e personalizado e modelos GaN/safira com densidades de deslocações extra baixas, que são adequados para aplicaç...
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GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

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