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Casa Produtos GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

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CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificações

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o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

Imagem Grande : o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Suzhou China
Marca:	GaNova
Certificação:	UKAS/ISO9001:2015
Número do modelo:	JDCD01-001-021

Condições de Pagamento e Envio:

Detalhes da embalagem:	Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
Tempo de entrega:	3-4 dias da semana
Termos de pagamento:	T/T
Habilidade da fonte:	10000pcs/Month

Contato

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

descrição

Dimensões:	± 50,8 1 milímetro	Nome do produto:	GaN Substrates autônomo
Espessura:	350 ±25µm	Orientação:	Plano de C (0001) fora do ângulo para a M-linha central
TTV:	μm do ≤ 15	Curva:	μm do ≤ 20
Densidade macro do defeito:	² 0cm⁻
Destacar:	Cara de GaN Epitaxial Wafer C , O Fe lubrificou a única carcaça de cristal , 2inch GaN Epitaxial Wafer

a C-cara 2inch Fe-lubrificou o Si-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única > 106 Ω·dispositivos RF do cm

As características do crescimento de camadas epitaxial Fe-lubrificadas de GaN em semi-isolar sic (001) carcaças foram estudadas usando o depósito de vapor químico metalorganic para aplicações altas do dispositivo da tensão de divisão. Uma superfície Fe-lubrificada lisa do epilayer de GaN pode ser realizada mudando o fluxo do ferrocene, quando umas concentrações mais altas do Fe no epilayer de GaN afetarem a morfologia de superfície.

carcaças autônomas do si-GaN de 2-polegada
	Nível excelente (s)		Nível da produção (a)		Nível da pesquisa (b)		Nível do manequim (c)	Nota: (1) área útil: borda e exclusão macro dos defeitos (2) 3 pontos: o miscut dobra das posições (2, 4, 5) é 0,35 ± 0,15^o
	S-1	S-2	A-1	A-2
Dimensão	± 50,8 1 milímetro
Espessura	350 μm do ± 25
Plano da orientação	± 0,5^o (de 1-100), ± 16 1 milímetro
Plano secundário da orientação	± 3^o (de 11-20), ± 8 1 milímetro
Resistividade (300K)	> 1 x 106 Ω·cm para Semi-isolar (Fe-lubrificado; GaN-FS-C-SI-C50)
TTV	μm do ≤ 15
CURVA	μm do ≤ 20					μm do ≤ 40
Aspereza de superfície da cara de GA	< 0=""> ou < 0="">
Aspereza de superfície da cara de N	0,5 μm ~1,5 opção: 1~3 nanômetro (terra fina); < 0="">
Pacote	Empacotado em uma sala de limpeza no único recipiente da bolacha
Área útil	> 90%				>80%		>70%
Densidade de deslocação	<9>^cm2 x105	<3x10>6 cm2	<9>5 cm2	<3>^cm2 x106	<3x10>6 cm2
Orientação: Plano de C (0001) fora do ângulo para a M-linha central	0,35 ± 0,15^o (3 pontos)		0,35 ± 0,15^o (3 pontos)		0,35 ± 0,15^o (3 pontos)
Densidade macro do defeito (furo)	0 cm2		< 0="">-2		< 1="" cm="">-2
Tamanho máximo de defeitos macro			< 700="">		< 2000="">		< 4000="">

* padrões nacionais de China (GB/T32282-2015)

Sobre nós

Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.

FAQ

Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
Geralmente é 3-5 dias se os bens estão no estoque.
ou é 7-10 dias se os bens não estão no estoque, ele é de acordo com a quantidade.
Q: Você fornece amostras? são livre ou extra?
Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas não pagamos o custo do frete.
Q: Que é seus termos de pagamento?
Pagamento <> >=5000USD do pagamento, 80% T/T adiantado, equilíbrio antes da expedição.

etiqueta:

Bolacha de semicondutor do nitreto do gálio,

posição livre GaN Substrates,

diodo emissor de luz azul GaN Epitaxial Wafer

Contacto

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

Telefone: +8613372109561

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Dimensões: 50,8 ± 1mm

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sobre

GaN Epitaxial Wafer: o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI; O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm; Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial: Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um; Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um; Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara

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