CHINA Bolacha Ga2O3

Bolacha único Crystal Substrate Thickness de FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6mm a 0.8mm

Espessura:0.6~0.8mm

Nome do produto:Único Crystal Substrate

Orientação:(010)
Substrato de Ga2O3 polido de lado único Espessura de cristal único 0,6 mm 0,8 mm

Ra:≤0.5nm

Espessura:0.6~0.8mm

Nome do produto:Único Crystal Substrate
bolacha Ga2O3 10x15mm único Crystal Substrate de 10x10mm

Orientação:(010) (201)

Dimensões:10*10mm; 10*15mm

Nome do produto:Único Crystal Substrate
Lubrificação de Crystal Gallium Oxide Substrate UID do semicondutor única

Espessura:0.6~0.8mm

Nome do produto:Único Crystal Substrate

Orientação:(010) (201)
10x15mm2 UID dopado livre Wafer Ga2O3 polimento único

Espessura:0.6~0.8mm

Nome do produto:Único Crystal Substrate

Orientação:(010) (201)
Wafer epitaxial de cristal único Ra 0,3nm Ga2O3 2 polegadas 4 polegadas

Nome do produto:Único Crystal Substrate

Espessura:0.6~0.8mm

Orientação:(201)
Sn Doping Ga2O3 Wafer Substrato monocristal 10x10mm2

Espessura:0.6~0.8mm

Nome do produto:Único Crystal Substrate

Orientação:(201)
Ga2O3 Fe Wafer dopado Substrato monocristal 10x10mm2 independente

FWHM:<350arcsec>

Superfície lustrada:Único lado lustrado

Espessura:0.6~0.8mm
Única Ga2O3 bolacha lustrada lateral único Crystal Substrate

Nome do produto:Único Crystal Substrate

Espessura:0.6~0.8mm

Superfície lustrada:Único lado lustrado
0.6mm 0.8mm Ga2O3 único Crystal Substrate Single Polishing

Nome do produto:Único Crystal Substrate

Orientação:(201)

Superfície lustrada:Único lado lustrado
JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-Dopado Livre Ga2O3 Substrato de Cristal Único Grau de Produto Polimento Simples

Espessura:0.6~0.8mm

Nome do produto:Único Crystal Substrate

Orientação:(101)
JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-lubrificou o único Crystal Substrate Product Grade único polonês autônomo de Ga2O3

Espessura:0.6~0.8mm

Nome do produto:Único Crystal Substrate

Orientação:(201)

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Bolacha Ga2O3

CHINA Bolacha Ga2O3

Bolacha único Crystal Substrate Thickness de FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6mm a 0.8mm

Substrato de Ga2O3 polido de lado único Espessura de cristal único 0,6 mm 0,8 mm

bolacha Ga2O3 10x15mm único Crystal Substrate de 10x10mm

Lubrificação de Crystal Gallium Oxide Substrate UID do semicondutor única

10x15mm2 UID dopado livre Wafer Ga2O3 polimento único

Wafer epitaxial de cristal único Ra 0,3nm Ga2O3 2 polegadas 4 polegadas

Sn Doping Ga2O3 Wafer Substrato monocristal 10x10mm2

Ga2O3 Fe Wafer dopado Substrato monocristal 10x10mm2 independente

Única Ga2O3 bolacha lustrada lateral único Crystal Substrate

0.6mm 0.8mm Ga2O3 único Crystal Substrate Single Polishing

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-Dopado Livre Ga2O3 Substrato de Cristal Único Grau de Produto Polimento Simples

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-lubrificou o único Crystal Substrate Product Grade único polonês autônomo de Ga2O3

GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara