JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe dopado em pé livre Ga2O3 Substrato de cristal único Grau de produto Polido único

Name: JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe dopado em pé livre Ga2O3 Substrato de cristal único Grau de produto Polido único
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD04-001-003
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

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Imagem Grande : JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe dopado em pé livre Ga2O3 Substrato de cristal único Grau de produto Polido único

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Suzhou China
Marca:	GaNova
Certificação:	UKAS/ISO9001:2015
Número do modelo:	JDCD04-001-003

Condições de Pagamento e Envio:

Detalhes da embalagem:	Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
Tempo de entrega:	3-4 dias da semana

Contato

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe dopado em pé livre Ga2O3 Substrato de cristal único Grau de produto Polido único

descrição

Espessura:	0.6~0.8mm	Nome do produto:	Único Crystal Substrate
Orientação:	（100）fora de 6°	Lubrificação:	Fe
FWHM:	<350arcsec>	Ra:	≤5 nm
Destacar:	Substrato de cristal único Ga2O3 em estado livre , 10x10mm2 Ga2O3 Substrato de cristal único , Ga2O3 único Crystal Substrate

10x10mm2 100(off 6°) Substrato monocristal Ga2O3 dopado com Fe Grau de produto polimento único Espessura 0,6~0,8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤5nm Dispositivos optoeletrônicos, camadas isolantes de materiais semicondutores e filtros UV

A densidade de potência é bastante aprimorada em dispositivos de nitreto de gálio em comparação com os de silício porque o GaN tem a capacidade de sustentar frequências de comutação muito mais altas.Ele também tem uma maior capacidade de suportar temperaturas elevadas.

O nitreto de gálio é um semicondutor de band gap direto (band gap = 3,4 eV) com estrutura do tipo wurtzita e é o material usado para fabricar dispositivos emissores de luz que podem suportar ambientes corrosivos.O nitreto de gálio é preparado pela reação de Ga2O3 com NH3 em temperaturas elevadas da ordem de 1000°C.

Substrato de nitreto de gálio -- Nível de pesquisa
Dimensões	10*10mm
Grossura	0,6~0,8mm
Orientação	(100) fora de 6°
Doping	Fé
superfície polida	Único lado polido
Resistividade/Nd-Na	/
FWHM	<350 segundos de arco
Rá	≤5 nm
Pacote	Embalado em um ambiente de sala limpa classe 100, sob uma atmosfera de nitrogênio

Sobre nós

Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.

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