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GaN Epitaxial Wafer

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Única carcaça de cristal de GaN

Wafer Epitaxial GaN Não Dopado

Cara GaN Substrate de C

CHINA GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

Dimensões:± 50,8 1 milímetro

Nome do produto:GaN Substrates autônomo

Espessura:350 ±25µm
O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Dimensões:± 50,8 1 milímetro

Espessura:350 ±25µm

Curva:- ≤ 10µm da CURVA do ≤ de 10µm
Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Dimensões:± 50,8 1 milímetro

Espessura:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
Plano da bolacha de semicondutor 325um do nitreto do gálio 375um C

Nome do produto:Única carcaça de cristal de GaN

Dimensões:± 50,8 1 milímetro

Espessura:350 ±25µm
375 um GaN Epitaxial Wafer Livre U-GaN SI-GaN Substratos

Nome do produto:carcaças autônomas de 2-polegada U-GaN/SI-GaN

Dimensões:50,8 ± 1mm

Espessura:350 ± 25μm
SI GaN Substrates de 2 polegadas U GaN Substrates 50.8mm

Nome do produto:carcaças autônomas de 2-polegada U-GaN/SI-GaN

Dimensões:50,8 ± 1mm

Espessura:350 ± 25μm
O único Un da cara de Crystal GaN Epitaxial Wafer 2inch C lubrificou o tipo de N

Nome do produto:carcaças autônomas de 2-polegada U-GaN/SI-GaN

Dimensões:50,8 ± 1mm

Espessura:350 ± 25μm
bolacha de semicondutor do nitreto do gálio de 50.8mm uma posição livre de 2 polegadas

Nome do produto:carcaças autônomas de 2-polegada U-GaN/SI-GaN

Aspereza de superfície da cara de GA:< 0="">

Plano da orientação:± 0.5˚ (de 1-100), 16 ± 1mm
Posição livre U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 milímetros 350 um

Nome do produto:carcaças autônomas de 2-polegada U-GaN/SI-GaN

Dimensões:50,8 ± 1mm

Espessura:350 ± 25μm
Face SP 5 X 10mm2 Nitreto de Gálio Substrato 350um

Nome do produto:GaN Substrates autônomo

Espessura:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
5x10mm2 GaN Epitaxial Wafer Un Dopado Tipo SI

Nome do produto:GaN Single Crystal Substrate autônomo

Espessura:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
GaN Monocristal Nitreto de Gálio Wafer Tipo SI

Dimensões:² de 5 x de 10mm

Nome do produto:GaN Substrates autônomo

Espessura:350 ±25µm

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Bolacha sic Epitaxial

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara