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Plano da bolacha de semicondutor 325um do nitreto do gálio 375um C

Certificado
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificações
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Plano da bolacha de semicondutor 325um do nitreto do gálio 375um C

Plano da bolacha de semicondutor 325um do nitreto do gálio 375um C
Gallium Nitride Semiconductor Wafer 325um 375um C Plane
Plano da bolacha de semicondutor 325um do nitreto do gálio 375um C Plano da bolacha de semicondutor 325um do nitreto do gálio 375um C

Imagem Grande :  Plano da bolacha de semicondutor 325um do nitreto do gálio 375um C

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Suzhou China
Marca: GaNova
Certificação: UKAS/ISO9001:2015
Número do modelo: JDCD01-001-021
Condições de Pagamento e Envio:
Detalhes da embalagem: Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
Tempo de entrega: 3-4 dias da semana
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 10000pcs/Month

Plano da bolacha de semicondutor 325um do nitreto do gálio 375um C

descrição
Nome do produto: Única carcaça de cristal de GaN Dimensões: ± 50,8 1 milímetro
Espessura: 350 ±25µm Orientação: Plano de C (0001) fora do ângulo para a M-linha central
TTV: ≤ 10µm Curva: μm do ≤ 20
Densidade macro do defeito: ² 0cm⁻ Área útil: > 90% (exclusão da borda)
Destacar:

Bolacha de semicondutor do nitreto do gálio

,

Bolacha gan plana do epi de C

,

Bolacha de semicondutor 325um

carcaças autônomas do si-GaN de 2-polegada


Uma bolacha epitaxial (igualmente chamou a bolacha, a epi-bolacha, ou o epiwafer do epi) é uma bolacha de material semiconducting feita pelo crescimento epitaxial (epitaxia) para o uso no photonics, na microeletrônica, no spintronics, ou no photovoltaics.

As bolachas finas de Epi são de uso geral para dispositivos do MOS da vanguarda. Epi grosso ou as bolachas epitaxial Multi-mergulhadas são usados para os dispositivos principalmente para controlar a energia elétrica, e está contribuindo a melhorar a eficiência do consumo de energia.

carcaças autônomas do si-GaN de 2-polegada
Nível excelente (s) Nível da produção (a) Nível da pesquisa (b) Nível do manequim (c)

Plano da bolacha de semicondutor 325um do nitreto do gálio 375um C 0

Nota:

(1) área útil: borda e exclusão macro dos defeitos

(2) 3 pontos: o miscut dobra das posições (2, 4, 5) é 0,35 ± 0,15o

S-1 S-2 A-1 A-2
Dimensão ± 50,8 1 milímetro
Espessura 350 μm do ± 25
Plano da orientação ± 0,5o (de 1-100), ± 16 1 milímetro
Plano secundário da orientação ± 3o (de 11-20), ± 8 1 milímetro
Resistividade (300K) > 1 x 106 Ω·cm para Semi-isolar (Fe-lubrificado; GaN-FS-C-SI-C50)
TTV μm do ≤ 15
CURVA μm do ≤ 20 μm do ≤ 40
Aspereza de superfície da cara de GA

< 0="">

ou < 0="">

Aspereza de superfície da cara de N

0,5 μm ~1,5

opção: 1~3 nanômetro (terra fina); < 0="">

Pacote Empacotado em uma sala de limpeza no único recipiente da bolacha
Área útil > 90% >80% >70%
Densidade de deslocação <9>cm2 x105 <3x10>6 cm2 <9>5 cm2 <3>cm2 x106 <3x10>6 cm2
Orientação: Plano de C (0001) fora do ângulo para a M-linha central

0,35 ± 0,15o

(3 pontos)

0,35 ± 0,15o

(3 pontos)

0,35 ± 0,15o

(3 pontos)

Densidade macro do defeito (furo) 0 cm2 < 0="">-2 < 1="" cm="">-2
Tamanho máximo de defeitos macro < 700=""> < 2000=""> < 4000="">

* padrões nacionais de China (GB/T32282-2015)

Sobre nós

Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.

FAQ

Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
Geralmente é 3-5 dias se os bens estão no estoque.
ou é 7-10 dias se os bens não estão no estoque, ele é de acordo com a quantidade.
Q: Você fornece amostras? são livre ou extra?
Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas não pagamos o custo do frete.
Q: Que é seus termos de pagamento?
Pagamento <> >=5000USD do pagamento, 80% T/T adiantado, equilíbrio antes da expedição.

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

Telefone: +8613372109561

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