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Bolacha do nitreto de alumínio

CHINA Bolacha do nitreto de alumínio

1'' AlN Nitreto de Alumínio Wafer 400um Grau S/P/R Polimento Químico

Nome do produto:AlN monocristal

Aspereza:Al face:≤0,5nm N face(traseira):≤1,2μm

Aparência:Borda circular de posicionamento da correia
único cristal 400um 2H Crystal Form de 25.4mm 1inch AlN

Aparência:Borda circular de posicionamento da correia

Nome do produto:Bolacha do nitreto de alumínio

Diâmetro (mm):25.4±0.5
1inch AlN único Crystal Aluminum Nitride Wafer 450um

TUA:≥90%

Polytype:{0001}±0,5°

Nome do produto:Bolacha do nitreto de alumínio
Plano C AIN em safira wafer simples ou duplo lado polido

Dimensões:φ50.8mm±0.1mm, DE (1-100), Al Face, encontrando a borda 16.0± 1.0mm

Carcaça:Safira (laterais simples ou duplos lustrados)

Tipo da condução:Semi-isolamento
Wafer de nitreto de alumínio semi-isolante AIN na superfície de wafer de safira

Dimensões:φ50.8mm±0.1mm, DE (1-100), Al Face, encontrando a borda 16.0± 1.0mm

Carcaça:Safira (laterais simples ou duplos lustrados)

Tipo da condução:Semi-isolamento
AIN Sapphire Wafer Sapphire Single semi de isolamento ou o lado dobro lustraram

Dimensões:φ50.8mm±0.1mm, DE (1-100), Al Face, encontrando a borda 16.0± 1.0mm

Carcaça:Safira (laterais simples ou duplos lustrados)

Tipo da condução:Semi-isolamento
Wafer de Nitreto de Alumínio de 2 Polegadas de Espessura AIN Sobre Safira Wafer Al Face

Nome do produto:Bolacha do nitreto de alumínio

Dimensões:φ50.8mm±0.1mm, DE (1-100), Al Face, encontrando a borda 16.0± 1.0mm

Carcaça:Safira (laterais simples ou duplos lustrados)
1um ao lado simples ou duplo da carcaça do nitreto 5um de alumínio lustrou

Nome do produto:Bolacha do nitreto de alumínio

Dimensões:φ50.8mm±0.1mm, DE (1-100), Al Face, encontrando a borda 16.0± 1.0mm

Carcaça:Safira (laterais simples ou duplos lustrados)
Aspereza Ra<1.5nm de AIN On Aluminum Nitride Wafer

Espessura:[1,2)μm,[2,3)μm,[3,4)μm,[4,5)μm

Orientação:Plano C (0001)±1˚

Tipo da condução:Semi-isolamento
Filme grosso 2um 3um AIN em wafer de safira 2 polegadas semi-isolante

Dimensões:φ50.8mm±0.1mm, DE (1-100), Al Face, encontrando a borda 16.0± 1.0mm

Carcaça:Safira (laterais simples ou duplos lustrados)

Orientação:Plano C (0001)±1˚
Wafer de Nitreto de Alumínio Monocristal AlN de 1 polegada 400μm Grau S/P/R

Nome do produto:Bolacha do nitreto de alumínio

Diâmetro:25,4±0,5mm

Espessura:400±50μm
2 polegadas que isolam semi o plano de AIN Sapphire Single Crystal Wafer C

Carcaça:Safira (laterais simples ou duplos lustrados)

Nome do produto:Bolacha do nitreto de alumínio

Espessura:[1,2)μm,[2,3)μm,[3,4)μm,[4,5)μm

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Bolacha do nitreto de alumínio

CHINA Bolacha do nitreto de alumínio

1'' AlN Nitreto de Alumínio Wafer 400um Grau S/P/R Polimento Químico

único cristal 400um 2H Crystal Form de 25.4mm 1inch AlN

1inch AlN único Crystal Aluminum Nitride Wafer 450um

Plano C AIN em safira wafer simples ou duplo lado polido

Wafer de nitreto de alumínio semi-isolante AIN na superfície de wafer de safira

AIN Sapphire Wafer Sapphire Single semi de isolamento ou o lado dobro lustraram

Wafer de Nitreto de Alumínio de 2 Polegadas de Espessura AIN Sobre Safira Wafer Al Face

1um ao lado simples ou duplo da carcaça do nitreto 5um de alumínio lustrou

Aspereza Ra<1.5nm de AIN On Aluminum Nitride Wafer

Filme grosso 2um 3um AIN em wafer de safira 2 polegadas semi-isolante

Wafer de Nitreto de Alumínio Monocristal AlN de 1 polegada 400μm Grau S/P/R

2 polegadas que isolam semi o plano de AIN Sapphire Single Crystal Wafer C

GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara