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Bolacha do nitreto de alumínio

CHINA Bolacha do nitreto de alumínio

Wafer de Nitreto de Alumínio de 2 polegadas Simples ou Duplo Lado Polido

Dimensões:φ50,8 mm±0,1 mm,OF(1-100),Al Face,Location Edge 16,0± 1,0 mm

Carcaça:Safira (laterais simples ou duplos lustrados)

Orientação:Plano C (0001)±1˚
1inch nitreto de alumínio AlN único Crystal Sapphire Wafer 400um

Nome do produto:AlN monocristal

Aspereza:Al face:≤0,5nm N face(traseira):≤1,2μm

Aparência:Borda circular de posicionamento da correia
Categoria do único cristal 400±50μM S/P/R de JDCD02-001-004 10*10mm2 AlN

Nome do produto:AlN monocristal

Diâmetro (milímetros):10x10

Espessura (μm):400±50
JDWY01-001-006 filme grosso de 2 polegadas (3,4) Um AIN On Sapphire Wafer, DSP, XRD FWHM (de 002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec

Dimensões:φ50,8 mm±0,1 mm,OF(1-100),Al Face,Location Edge 16,0± 1,0 mm

Carcaça:Safira (laterais simples ou duplos lustrados)

Espessura:[1,2)μm,[2,3)μm,[3,4)μm,[4,5)μm
JDWY01-001-004 filme grosso de 2 polegadas (2,3) um AIN na bolacha da safira, DSP, XRD FWHM (de 002) ≤100arcsec (102) ≤550arcsec

Dimensões:φ50,8 mm±0,1 mm,OF(1-100),Al Face,Location Edge 16,0± 1,0 mm

Carcaça:Safira (laterais simples ou duplos lustrados)

Orientação:Plano C (0001)±1o
$JDWY01-001-007 Filme de 2 polegadas de espessura (4,5)Um AIN On Sapphire Wafer,SSP,XRD FWHM Of(002)≤160arcsec\(102) ≤400arcsec$

JDWY01-001-007 Filme de 2 polegadas de espessura (4,5)Um AIN On Sapphire Wafer,SSP,XRD FWHM Of(002)≤160arcsec\(102) ≤400arcsec

Dimensões:φ50,8 mm±0,1 mm,OF(1-100),Al Face,Location Edge 16,0± 1,0 mm

Carcaça:Safira (laterais simples ou duplos lustrados)

Espessura:[1,2)μm,[2,3)μm,[3,4)μm,[4,5)μm
Wafer de cristal único de 1 polegada AlN 400±50μM Grau S/P/R

formulário de cristal:2H

Espessura:400±50

Resistência à corrosão:Cara do Al: cara de ≤0.5nm N (traseira): ≤1.2μm
ALN 10*10mm2 AlN Cristal único 400±50μM Grau S/P/R

Diâmetro:10mmx10mm

Espessura (μm):400±50

formulário de cristal:2H
JDWY01-001-002 Filme de 2 polegadas de espessura (1,2)Um AIN em Sapphire Wafer,DSP,XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec

Espessura:[1,2)μm,[2,3)μm,[3,4)μm,[4,5)μm

Orientação:Plano C (0001)±1o

Tipo da condução:Semi-isolamento

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Wafer de Nitreto de Alumínio de 2 polegadas Simples ou Duplo Lado Polido

1inch nitreto de alumínio AlN único Crystal Sapphire Wafer 400um

Categoria do único cristal 400±50μM S/P/R de JDCD02-001-004 10*10mm2 AlN

JDWY01-001-006 filme grosso de 2 polegadas (3,4) Um AIN On Sapphire Wafer, DSP, XRD FWHM (de 002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec

JDWY01-001-004 filme grosso de 2 polegadas (2,3) um AIN na bolacha da safira, DSP, XRD FWHM (de 002) ≤100arcsec (102) ≤550arcsec

JDWY01-001-007 Filme de 2 polegadas de espessura (4,5)Um AIN On Sapphire Wafer,SSP,XRD FWHM Of(002)≤160arcsec\(102) ≤400arcsec

Wafer de cristal único de 1 polegada AlN 400±50μM Grau S/P/R

ALN 10*10mm2 AlN Cristal único 400±50μM Grau S/P/R

JDWY01-001-002 Filme de 2 polegadas de espessura (1,2)Um AIN em Sapphire Wafer,DSP,XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec

GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara