Casa Produtos Bolacha do nitreto de alumínio

JDWY01-001-006 filme grosso de 2 polegadas (3,4) Um AIN On Sapphire Wafer, DSP, XRD FWHM (de 002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec

Name: JDWY01-001-006 filme grosso de 2 polegadas (3,4) Um AIN On Sapphire Wafer, DSP, XRD FWHM (de 002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDWY01-001-006
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Todos os Produtos

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Bolacha sic Epitaxial
(39)

GaAs Epi Wafer
(15)

Substratos de Diamante CVD
(15)

Sistema de recozimento térmico rápido
(2)

Testador de Sensor de Efeito Hall
(3)

Bolacha do nitreto de alumínio
(21)

Microplaqueta do diodo láser
(10)

Cristal do carboneto de silicone
(12)

Bolacha Ga2O3
(13)

bolacha de silicone
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Sapphire Substrates modelada
(10)

Suporte da bolacha do
(1)

Máquina de cortar bolacha
(5)

Certificado

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificações

Estou Chat Online Agora

JDWY01-001-006 filme grosso de 2 polegadas (3,4) Um AIN On Sapphire Wafer, DSP, XRD FWHM (de 002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec

Imagem Grande : JDWY01-001-006 filme grosso de 2 polegadas (3,4) Um AIN On Sapphire Wafer, DSP, XRD FWHM (de 002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Suzhou China
Marca:	GaNova
Certificação:	UKAS/ISO9001:2015
Número do modelo:	JDWY01-001-006

Condições de Pagamento e Envio:

Detalhes da embalagem:	Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 25 peças ou recipientes
Termos de pagamento:	T/T

Contato

JDWY01-001-006 filme grosso de 2 polegadas (3,4) Um AIN On Sapphire Wafer, DSP, XRD FWHM (de 002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec

descrição

Dimensões:	φ50,8 mm±0,1 mm,OF(1-100),Al Face,Location Edge 16,0± 1,0 mm	Carcaça:	Safira (laterais simples ou duplos lustrados)
Espessura:	[1,2)μm,[2,3)μm,[3,4)μm,[4,5)μm	Zona de exclusão de borda:	<2mm
Aspereza de superfície:	Ra	Nome do produto:	Bolacha do nitreto de alumínio
XRD FWHM de (002):	≤80arcsec, ≤100arcsec, ≤120arcsec, ≤160arcsec	XRD FWHM de (102):	≤650arcsec, ≤550arcsec, ≤450arcsec, ≤400arcsec
Destacar:	DSP AIN na bolacha de safira

filme grosso de 2 polegadas (3,4) um AIN na bolacha da safira, DSP, XRD FWHM (002) 102) ≤450arcsec da desinfecção UV de ≤120arcsec (, microplaqueta do diodo emissor de luz

A carcaça de AlN é uma da carcaça cerâmica a mais popular que tem a resistência térmica excelente, a força mechnical alta, a resistência de abrasão e a perda dielétrica pequena. A superfície da carcaça de AlN é porosidade bastante lisa e baixa. O nitreto de alumínio tem uma condutibilidade térmica mais alta, comparada à carcaça da alumina, ele é aproximadamente 7 a 8 vezes altas. A carcaça de AlN é um material eletrônico excelente do pacote.

Artigo	AlN-T-C-U-C50
Dimensões	φ50.8 mm±0.1 milímetro, DE (1-100), Al Face, encontrando a borda 16.0± 1,0 milímetros
Carcaça	Safira (laterais simples ou duplos lustrados)
Espessura	1~5μm
Orientação	C-plano (0001) ±1o
Tipo da condução	Semi-isolamento
Qualidade cristalina	Espessura	XRD FWHM de (002)	XRD FWHM de (102)
	μm [de 1,2)	≤80arcsec	≤650arcsec
	μm [de 2,3)	≤100arcsec	≤550arcsec
	μm [de 3,4)	≤120arcsec	≤450arcsec
	μm [de 4,5)	≤160arcsec	≤400arcsec
Zona de exclusão da borda	<2mm>
Aspereza de superfície	Ra<1>
Pacote	Vácuo que embala em um ambiente do quarto desinfetado da classe 10000, em umas gavetas de 25pcs ou de únicos recipientes da bolacha.

Sobre nós

Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.

FAQ

Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
Geralmente é 3-5 dias se os bens estão no estoque.
ou é 7-10 dias se os bens não estão no estoque, ele é de acordo com a quantidade.
Q: Você fornece amostras? são livre ou extra?
Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas não pagamos o custo do frete.
Q: Que é seus termos de pagamento?
Pagamento <> >=5000USD do pagamento, 80% T/T adiantado, equilíbrio antes da expedição.

etiqueta:

Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

Telefone: +8613372109561

Outros Produtos

1'' AlN Nitreto de Alumínio Wafer 400um Grau S/P/R Polimento Químico

Nome do produto: AlN monocristal

Aspereza: Al face:≤0,5nm N face(traseira):≤1,2μm

Aparência: Borda circular de posicionamento da correia

TUA: ≥90%

único cristal 400um 2H Crystal Form de 25.4mm 1inch AlN

Aparência: Borda circular de posicionamento da correia

Nome do produto: Bolacha do nitreto de alumínio

Diâmetro (mm): 25.4±0.5

Espessura (μm): 400±50

1inch AlN único Crystal Aluminum Nitride Wafer 450um

TUA: ≥90%

Polytype: {0001}±0,5°

Nome do produto: Bolacha do nitreto de alumínio

Diâmetro: 25,4±0,5mm

Plano C AIN em safira wafer simples ou duplo lado polido

Dimensões: φ50.8mm±0.1mm, DE (1-100), Al Face, encontrando a borda 16.0± 1.0mm

Carcaça: Safira (laterais simples ou duplos lustrados)

Tipo da condução: Semi-isolamento

Zona de exclusão de borda: <2mm

Wafer de nitreto de alumínio semi-isolante AIN na superfície de wafer de safira

Dimensões: φ50.8mm±0.1mm, DE (1-100), Al Face, encontrando a borda 16.0± 1.0mm

Carcaça: Safira (laterais simples ou duplos lustrados)

Tipo da condução: Semi-isolamento

Zona de exclusão de borda: <2mm

JDWY01-001-006 filme grosso de 2 polegadas (3,4) Um AIN On Sapphire Wafer, DSP, XRD FWHM (de 002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec

GaN Epitaxial Wafer

Bolacha sic Epitaxial

GaAs Epi Wafer

Substratos de Diamante CVD

Sistema de recozimento térmico rápido

Testador de Sensor de Efeito Hall

Bolacha do nitreto de alumínio

Microplaqueta do diodo láser

Cristal do carboneto de silicone

Bolacha Ga2O3

bolacha de silicone

Sapphire Wafer

Sapphire Substrates modelada

Suporte da bolacha do

Máquina de cortar bolacha

JDWY01-001-006 filme grosso de 2 polegadas (3,4) Um AIN On Sapphire Wafer, DSP, XRD FWHM (de 002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec

JDWY01-001-006 filme grosso de 2 polegadas (3,4) Um AIN On Sapphire Wafer, DSP, XRD FWHM (de 002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec

DSP AIN na bolacha de safira

Sapphire Aluminum Nitride Wa,

ISO da bolacha do nitreto de alumínio,

bolachas lustradas da safira

1'' AlN Nitreto de Alumínio Wafer 400um Grau S/P/R Polimento Químico

único cristal 400um 2H Crystal Form de 25.4mm 1inch AlN

1inch AlN único Crystal Aluminum Nitride Wafer 450um

Plano C AIN em safira wafer simples ou duplo lado polido

Wafer de nitreto de alumínio semi-isolante AIN na superfície de wafer de safira

GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara