CHINA Cristal do carboneto de silicone

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  Cristal liso preliminar 4" do carboneto de silicone do comprimento 32.5mm categoria 100.0mm de P

  politipo:4h

  Diâmetro:100,0mm±0,5mm

  Tipo do portador:N-TYPE

  contacto
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  4H Politype único Crystal Silicon Carbide 4" cara do si da categoria de P

  politipo:4h

  Diâmetro:100,0mm±0,5mm

  Orientação:4,0°±0,2°

  contacto
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  0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm cristal de carboneto de silício tipo N

  Tipo do portador:N-TYPE

  resistividade:0.015~0.028ohm.cm

  Orientação:4,0°±0,2°

  contacto
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  cristal 4" do carboneto de silicone de 100.0mm categoria 18.0mm de P

  politipo:4h

  Diâmetro:100,0mm±0,5mm

  Tipo do portador:N-TYPE

  contacto
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  cristal 4" do carboneto de silicone de 100.0mm categoria Politype 4H de P

  politipo:4h

  Diâmetro:100,0mm±0,5mm

  Tipo do portador:N-TYPE

  contacto
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  Resistividade de cristal de carboneto de silício de grau P de 4" 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm

  politipo:4h

  Tipo do portador:N-TYPE

  resistividade:0.015~0.028ohm.cm

  contacto
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  JDZJ01-001-006 SiC Seed Crystal S Grade 6" Φ153±0.5mm

  Urdidura (μm):≤50μm

  Diâmetro:153±0,5mm

  Comprimento da aresta de posicionamento principal:8,0±2,0

  contacto
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  Sic cristal 4" do lingote JDZJ01-001-002 categoria de D

  politipo:4h

  Diâmetro:100,0mm±0,5mm

  Tipo do portador:N-TYPE

  contacto
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  JDZJ01-001-008 Cristal de semente de SiC de 4 e 6 polegadas

  politipo:4h

  Diâmetro:105±0,5mm

  Espessura:500±50μm

  contacto
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  Cristal de semente do carboneto de silicone JDZJ01-001-007

  Diâmetro:105±0,5mm

  Tipo do portador:500±50μm

  TTV:≤15μm

  contacto
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  Sic o cristal de semente JDZJ01-001-005 S classifica 6" a categoria φ153±0.5mm de S

  Urdidura (μm):≤50μm

  Diâmetro:153±0,5mm

  Espessura:500±50mm

  contacto
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  JDZJ01-001-004 SiC Cristal de Lingote 6" grau P

  politipo:4h

  Diâmetro:150,0 mm ± 0,5 mm

  Tipo do portador:N-TYPE

  contacto