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GaAs Epi Wafer

CHINA GaAs Epi Wafer

2 polegadas GaAs Epi Wafer GaAs Substratos não dopados VGF

Método do crescimento:VGF

Tipo de Conduta:S-C-N

Nome do produto:GaAs (100) Substratos não dopados
S-C-N conduz substratos não dopados GaAs de 2 polegadas com alta mobilidade de elétrons

Nome do produto:Wafer GaAs-Si

Tipo de Conduta:S-C-N

dopante:GaAs-Si
bolacha Undoped 0.4E18 do GaAs Epi das carcaças de 2inch GaAs a 1E18

Tipo de Conduta:S-C-N

dopante:GaAs-Si

Ângulo de Orientação:0°
Entorpecente Undoped do si das carcaças 2inch GaAs de VGF GaAs

Nome do produto:GaAs (100) Substratos não dopados

Método do crescimento:VGF

Tipo de Conduta:S-C-N
carcaças Undoped da bolacha de 17mm 2inch GaAs Epi 50.8mm

Nome do produto:Wafer GaAs-Si

Método do crescimento:VGF

Tipo de Conduta:S-C-N
51mm 2 polegadas GaAs Wafer Substratos não dopados 7mm de comprimento IF

Método do crescimento:VGF

Tipo de Conduta:S-C-N

Nome do produto:Wafer GaAs-Si
VGF 2 polegadas GaAs Epi Wafer Substratos não dopados Lado polido gravado

Nome do produto:GaAs de 2 polegadas (100) Substratos não dopados

Método do crescimento:VGF

Ângulo de Orientação:0°
LEDs de substrato de arsenieto de gálio para comunicações ópticas

Nome do produto:GaAs (100) Substratos não dopados

Método do crescimento:VGF

Tipo de Conduta:S-C-N
Bolacha UKAS do si do GaAs da bolacha do composto 2inch GaAs Epi do semicondutor

Nome do produto:GaAs (100) Substratos não dopados

dopante:GaAs-Si

Ângulo de Orientação:0°
carcaças Undoped VGF S-C-N da bolacha 2inch GaAs do si de 18mm GaAs

Nome do produto:Wafer GaAs-Si

Método do crescimento:VGF

Tipo de Conduta:S-C-N
JDCD10-001-001 GaAs de 2 polegadas (100) Substratos não dopados

Nome do produto:Wafer GaAs-Si

Método do crescimento:VGF

Tipo de Conduta:S-C-N
JDCD10-001-002 GaAs de 2 polegadas (100) Substratos dopados com Si

Nome do produto:Wafer GaAs-Si

Método do crescimento:VGF

Tipo de Conduta:S-C-N

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Entorpecente Undoped do si das carcaças 2inch GaAs de VGF GaAs

carcaças Undoped da bolacha de 17mm 2inch GaAs Epi 50.8mm

51mm 2 polegadas GaAs Wafer Substratos não dopados 7mm de comprimento IF

VGF 2 polegadas GaAs Epi Wafer Substratos não dopados Lado polido gravado

LEDs de substrato de arsenieto de gálio para comunicações ópticas

Bolacha UKAS do si do GaAs da bolacha do composto 2inch GaAs Epi do semicondutor

carcaças Undoped VGF S-C-N da bolacha 2inch GaAs do si de 18mm GaAs

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