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Bolacha UKAS do si do GaAs da bolacha do composto 2inch GaAs Epi do semicondutor

Certificado
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificações
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Bolacha UKAS do si do GaAs da bolacha do composto 2inch GaAs Epi do semicondutor

Bolacha UKAS do si do GaAs da bolacha do composto 2inch GaAs Epi do semicondutor
Bolacha UKAS do si do GaAs da bolacha do composto 2inch GaAs Epi do semicondutor

Imagem Grande :  Bolacha UKAS do si do GaAs da bolacha do composto 2inch GaAs Epi do semicondutor

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Suzhou China
Marca: GaNova
Certificação: UKAS/ISO9001:2015
Número do modelo: JDCD10-001-002
Condições de Pagamento e Envio:
Detalhes da embalagem: Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 25 peças ou recipientes
Tempo de entrega: 3-4 dias da semana
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 10000pcs/Month

Bolacha UKAS do si do GaAs da bolacha do composto 2inch GaAs Epi do semicondutor

descrição
Nome do produto: GaAs (100) Substratos não dopados dopante: GaAs-Si
Ângulo de Orientação: DE Orientação: EJ[0-1-1]±0,5°
DE Comprimento (mm): 17±1 Orientação IF: EJ[0-11]±0,5°
Destacar:

Bolacha UKAS do GaAs Epi

,

bolacha do si de 2inch GaAs

,

Bolacha do arsenieto de gálio do semicondutor

Carcaças Undoped da bolacha 2inch GaAs do GaAs-si 100) ((100) 15°±0.5° fora de TowardA<111>

Vista geral

O arsenieto de gálio (fórmula química GaAs) é um composto do semicondutor usado em algum diodo s, em transistor s do efeito de campo (FETs), e em circuito integrado s (CI). Os portador de carga, que são na maior parte o elétron s, movimento na alta velocidade entre o átomo S. Isto faz componentes do GaAs úteis em radiofrequência ultra-altas, e em aplicações rápidas da comutação eletrônica. Os dispositivos do GaAs geram menos ruído do que a maioria outros de tipos de componentes do semicondutor. Isto é importante na amplificação do fraco-sinal.

Bolacha do GaAs-si

Método do crescimento

VGF
Tipo da conduta S-C-N
Entorpecente GaAs-si
Orientação (100) 15°±0.5° fora de TowardA<111>
Ângulo da orientação
Da orientação EJ [0-1-1] ±0.5°
Do comprimento (milímetros) 17±1
SE orientação EJ [0-11] ±0.5°
SE comprimento (milímetros) 7±1
Diâmetro (milímetros) 50.8±0.2
Centímetro cúbico (/c.c.) 0.4E18~1E18
Resistividade (ohm.cm) N/A
Mobilidade (cm2/v.s) ≥1000
EPD (/cm2) ≤5000
Espessura (um) 350±20
TTV (um) <10>
TTR (um) <10>
Curve (um) <15>
Entorte (um) <15>
Superfície Side1: Side2 lustrado: Gravado
Empacotamento Gaveta ou único

Sobre nós

Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.

FAQ

Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
Geralmente é 3-5 dias se os bens estão no estoque.
ou é 7-10 dias se os bens não estão no estoque, ele é de acordo com a quantidade.
Q: Você fornece amostras? são livre ou extra?
Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas não pagamos o custo do frete.
Q: Que é seus termos de pagamento?
Pagamento <> >=5000USD do pagamento, 80% T/T adiantado, equilíbrio antes da expedição.

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

Telefone: +8613372109561

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