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carcaças Undoped VGF S-C-N da bolacha 2inch GaAs do si de 18mm GaAs2022-10-09 09:53:40 |
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150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm Forma de cristal SiC Epitaxial Wafer 4H2022-10-24 10:20:57 |
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150,0 mm +0 mm/-0,2 mm SiC Epitaxial Wafer 47,5 mm ± 1,5 mm2022-10-24 10:23:40 |
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6 polegadas Tipo N Wafer P MOS Grau 4H SiC Substrato 350,0 ± 25,0um2022-10-24 10:21:10 |
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JDCD10-001-002 GaAs de 2 polegadas (100) Substratos dopados com Si2022-10-09 09:52:57 |
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Aumente a sua produção com processamento térmico rápido RTP-SA-82024-09-23 16:53:36 |
