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Detalhes do produto:
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| Diâmetro: | 150.0mm +0mm/-0.2mm | Nome do produto: | Bolacha sic Epitaxial |
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| Orientação de superfície: | Fora-linha central: ° de 4°toward <11-20>±0.5 | Comprimento liso preliminar: | ± 1.5mm de 47.5mm |
| Crystal Form: | 4h | Polytype: | Nenhuns permitiram |
| Destacar: | SiC Epitaxial Wafer UKAS,SiC semiconductor wafer,GaNova SiC Epitaxial Wafer |
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150,0 mm +0mm/-0,2mm Sic Epitaxial Wafer fora do eixo:4°Na direção <11-20>±0,5°
JDCD03-001-004
Visão geral
Um wafer de SiC é um semicondutor feito de silício.Sua planicidade, condutividade térmica e condutividade elétrica o tornam um transportador ideal para o silício.Embora o diâmetro de 150 mm ainda seja o padrão, existem várias empresas que produzem SiC de 200 mm de diâmetro.Um wafer SIC pode ser produzido de várias maneiras diferentes, mas o tamanho mais comum é aquele usado para conversão de energia.
As propriedades eletrônicas e térmicas exclusivas do carboneto de silício (SiC) o tornam ideal para dispositivos semicondutores avançados de alta potência e alta frequência que operam muito além das capacidades dos dispositivos de silício ou arsenieto de gálio.
| Propriedade | Grau P-MOS | Grau P-SBD | grau D |
| Forma de Cristal | 4H | ||
| Politipo | Nenhum permitido | Área≤5% | |
| (MPD)a | ≤0,2 /cm2 | ≤0,5 /cm2 | ≤5 /cm2 |
| Placas sextavadas | Nenhum permitido | Área≤5% | |
| Policristal Hexagonal | Nenhum permitido | ||
| Inclusõesa | Área≤0,05% | Área≤0,05% | N / D |
| Resistividade | 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm | 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm | 0,014Ω•cm—0,028Ω•cm |
| (EPD)a | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm2 | N / D |
| (TED)a | ≤3000/cm2 | ≤6000/cm2 | N / D |
| (BPD)a | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | N / D |
| (TSD)a | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | N / D |
| Falha de Empilhamento | ≤0,5% Área | ≤1% Área | N / D |
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Contaminação de Superfície Metálica |
(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11 cm-2 |
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| Diâmetro | 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm | ||
| Orientação da Superfície | Fora do eixo: 4° na direção de <11-20> ± 0,5 ° | ||
| Comprimento Plano Primário | 47,5 mm ± 1,5 mm | ||
| Comprimento Plano Secundário | Sem Apartamento Secundário | ||
| Orientação Plana Primária | Paralelo a <11-20>±1° | ||
| Orientação Plana Secundária | N / D | ||
| Desorientação ortogonal | ±5,0° | ||
| Acabamento de superfície | Face C: Polimento óptico, Face Si: CMP | ||
| borda de bolacha | Chanframento | ||
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Rigidez da superfície (10μm × 10μm) |
Si Face Ra≤0,20 nm ； C Face Ra≤0,50 nm | ||
| Grossuraa | 350,0 μm ± 25,0 μm | ||
| LTV (10 mm × 10 mm)a | ≤2μm | ≤3μm | |
| (TTV)a | ≤6μm | ≤10μm | |
| (ARCO)a | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm |
| (Urdidura)a | ≤25μm | ≤40μm | ≤60μm |
| Chips/Recuos | Nenhum permitido ≥0,5 mm de largura e profundidade | Qtd.2 ≤1,0 mm Largura e Profundidade | |
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Arranhõesa (Si Face,CS8520) |
≤5 e comprimento cumulativo≤0,5 × Diâmetro da bolacha |
≤5 e comprimento cumulativo≤1,5 × Wafer Diâmetro |
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| TUA (2mm*2mm) | ≥98% | ≥95% | N / D |
| Rachaduras | Nenhum permitido | ||
| Contaminação | Nenhum permitido | ||
| Propriedade | Grau P-MOS | Grau P-SBD | grau D |
| Exclusão de Borda | 3mm | ||
Observação: a exclusão de borda de 3 mm é usada para os itens marcados coma.
Sobre nós
Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.
Perguntas frequentes
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