Substrato 350um 4H SiC

Name: Substrato 350um 4H SiC
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

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Substrato 350um 4H SiC

Imagem Grande : Substrato 350um 4H SiC

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Suzhou China
Marca:	GaNova
Certificação:	UKAS/ISO9001:2015

Condições de Pagamento e Envio:

Detalhes da embalagem:	Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 25 peças ou recipientes
Tempo de entrega:	3-4 dias da semana
Termos de pagamento:	T/T

Contato

Substrato 350um 4H SiC

descrição

Crystal Form:	4h	Contaminação de Superfície Metálica:	(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, si, Ca, V, manganês) cm2 ≤1E11
Nome do produto:	Bolacha sic Epitaxial	Diâmetro:	150.0mm +0mm/-0.2mm
Orientação de superfície:	Fora-linha central: ° de 4°toward <11-20>±0.5	Comprimento liso preliminar:	± 1.5mm de 47.5mm
Comprimento liso secundário:	Nenhum plano secundário	Orientação lisa preliminar:	To<11-20>±1° paralelo
Misorientation ortogonal:	±5.0°
Destacar:	350um 4H SiC substrato , Microw Epitaxial Wafer , 4H SiC substrato N Tipo

6 polegadas 4H-SiC Substrato N-Tipo P-SBD Grau 350,0±25,0μm MPD≤0,5/cm²Resistividade 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm para potência e microw

Substrato 4H-SiC de 6 polegadas Tipo N

Visão geral

O carboneto de silício (SiC) é um material de engenharia cerâmico não óxido que tem reunido um interesse considerável.As partículas de SiC representam uma expansão térmica relativamente baixa, alta condutividade térmica, alta dureza e resistência à abrasão e à corrosão.

Propriedade	Grau P-MOS	Grau P-SBD	grau D
Forma de Cristal	4H
Politipo	Nenhum permitido		Área≤5%
(MPD)^a	≤0,2 /cm²	≤0,5 /cm²	≤5 /cm²
Placas sextavadas	Nenhum permitido		Área≤5%
Policristal Hexagonal	Nenhum permitido
Inclusões^a	Área≤0,05%	Área≤0,05%	N / D
Resistividade	0,015Ω•cm—0,025Ω•cm	0,015Ω•cm—0,025Ω•cm	0,014Ω•cm—0,028Ω•cm
(EPD)^a	≤4000/cm²	≤8000/cm²	N / D
(TED)^a	≤3000/cm²	≤6000/cm²	N / D
(BPD)^a	≤1000/cm²	≤2000/cm²	N / D
(TSD)^a	≤600/cm²	≤1000/cm²	N / D
Falha de Empilhamento	≤0,5% Área	≤1% Área	N / D
Contaminação de Superfície Metálica	(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11 cm^-2
Diâmetro	150,0 mm +0 mm/-0,2 mm
Orientação da Superfície	Fora do eixo: 4° na direção de <11-20> ± 0,5 °
Comprimento Plano Primário	47,5 mm ± 1,5 mm
Comprimento Plano Secundário	Sem Apartamento Secundário
Orientação Plana Primária	Paralelo a <11-20>±1°
Orientação Plana Secundária	N / D
Desorientação ortogonal	±5,0°
Acabamento de superfície	Face C: Polimento óptico, Face Si: CMP
borda de bolacha	Chanframento
Rigidez da superfície (10μm × 10μm)	Si Face Ra≤0,20 nm ； C Face Ra≤0,50 nm
Grossura^a	350,0 μm ± 25,0 μm
LTV (10 mm × 10 mm)^a	≤2μm		≤3μm
(TTV)^a	≤6μm		≤10μm
(ARCO)^a	≤15μm	≤25μm	≤40μm
(Urdidura)^a	≤25μm	≤40μm	≤60μm
Chips/Recuos	Nenhum permitido ≥0,5 mm de largura e profundidade		Qtd.2 ≤1,0 mm Largura e Profundidade
Arranhões^a (Si Face,CS8520)	≤5 e comprimento cumulativo≤0,5 × Diâmetro da bolacha		≤5 e comprimento cumulativo≤1,5 × Wafer Diâmetro
TUA (2mm*2mm)	≥98%	≥95%	N / D
Rachaduras	Nenhum permitido
Contaminação	Nenhum permitido
Propriedade	Grau P-MOS	Grau P-SBD	grau D
Exclusão de Borda	3mm

Observação: a exclusão de borda de 3 mm é usada para os itens marcados com^a.

Sobre nós

Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.

Perguntas frequentes

Q: você está negociando empresa ou fabricante?
Nós somos fábrica.
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Sim, podemos oferecer a amostra gratuitamente, mas não pagamos o custo do frete.
Q: Quais são as suas condições de pagamento?
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Pagadores >=5000USD, 80% T/T adiantado, saldo antes do envio.

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Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

Telefone: +8613372109561

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Tipo bolacha sic Epitaxial de N,

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o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

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Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara