Portuguese

English

French

German

Italian

Russian

Spanish

Portuguese

Dutch

Greek

Japanese

Korean

Arabic

Turkish

Polish

Pedir um orçamento |

Sistema de recozimento térmico rápido

CHINA Sistema de recozimento térmico rápido

Sistema de recozimento RTP-SA-8 de processamento térmico rápido de produção

Tamanho máximo do produto:Orifícios de 8 polegadas ou menos

Dimensões do equipamento:970 mm x 1450 mm x 2024 mm (largura x profundidade x altura)

Variação da temperatura de aquecimento:Temperatura ambiente ~ 800 °C (termopares) ~ 800 °C ~ 1250 °C (pirômetro infravermelho)
sistema de recozimento térmico rápido de 150mm com três gás do processo dos grupos

Nome do produto:Sistema de recozimento térmico rápido

Modelo:RTP-150RL

Tamanho máximo da amostra:150mm

Page 1 of 1

Navegue Categorias：

GaN Epitaxial Wafer
Bolacha sic Epitaxial
GaAs Epi Wafer
Substratos de Diamante CVD
Sistema de recozimento térmico rápido
Testador de Sensor de Efeito Hall
Bolacha do nitreto de alumínio
Microplaqueta do diodo láser
Cristal do carboneto de silicone
Bolacha Ga2O3
bolacha de silicone
Sapphire Wafer
Sapphire Substrates modelada
Suporte da bolacha do
Máquina de cortar bolacha

sobre

GaN Epitaxial Wafer: o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI; O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm; Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial: Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um; Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um; Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara

Deixe mensagem

Política de Privacidade | CHINA bom qualidade GaN Epitaxial Wafer fornecedor. © 2023 - 2025 epi-wafers.com. All Rights Reserved.