CHINA bolacha de silicone

0,001-100 ohm-cm Bolacha de Silício Tipo P Dopante de Boro

Diâmetro:2"

Categoria:Principal

Método do crescimento:CZ
Carcaças discretas P/P P/E E/POR EXEMPLO de superfície do si dos dispositivos de /G terminado

Método do crescimento:CZ

Diâmetro:2"

Categoria:Principal
2" principal μm <10 Capabilities<5um padrão da bolacha de silicone máximo

Diâmetro:2"

Categoria:Principal

Método do crescimento:CZ
Substrato Primário de Bolacha Epitaxial de Silício Microeletrônico 279um

Categoria:Principal

Método do crescimento:CZ

Tipo/entorpecente:Tipo de P/boro, tipo de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Tipo bolacha de silicone 3" de N de Phos espessura 279um 380um 525um 625um

Tipo/entorpecente:Tipo de P/boro, tipo de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb

Espessura (μm):279

Tolerância da espessura:± padrão 25μm, ± máximo 5μm das capacidades
4" 5" 6" tipo da bolacha P do si/tipo do boro N/como o tipo/Sb de N

Diâmetro:2"

Categoria:Principal

Método do crescimento:CZ
Bolacha de silicone 5" da CZ do método do crescimento orientação <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>

Diâmetro:2"

Categoria:Principal

Método do crescimento:CZ
Dispositivos semicondutores Wafer de substrato de silício de 2 polegadas 8'' 12''

Diâmetro:2"

Categoria:Principal

Método do crescimento:CZ
Tipo tipo de N do Sb N como a bolacha de silicone 6 polegadas 8 polegadas

Método do crescimento:CZ

Orientação:<1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>

Tipo/entorpecente:Tipo de P/boro, tipo de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Bolacha de semicondutor 380um do silicone da CZ 525um 625um

Orientação:<1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>

Espessura (μm):279

Tolerância da espessura:± padrão 25μm, ± máximo 5μm das capacidades
Tipo tipo Phos da bolacha de silicone P de 12 polegadas do boro N

Diâmetro:12"

Categoria:Principal

Método do crescimento:CZ
O silicone superfície da bolacha de 8 polegadas terminou P/P P/E E/POR EXEMPLO /G

Diâmetro:8"

Categoria:Principal

Método do crescimento:CZ

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bolacha de silicone

CHINA bolacha de silicone

0,001-100 ohm-cm Bolacha de Silício Tipo P Dopante de Boro

Carcaças discretas P/P P/E E/POR EXEMPLO de superfície do si dos dispositivos de /G terminado

2" principal μm <10 Capabilities<5um padrão da bolacha de silicone máximo

Substrato Primário de Bolacha Epitaxial de Silício Microeletrônico 279um

Tipo bolacha de silicone 3" de N de Phos espessura 279um 380um 525um 625um

4" 5" 6" tipo da bolacha P do si/tipo do boro N/como o tipo/Sb de N

Bolacha de silicone 5" da CZ do método do crescimento orientação <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>

Dispositivos semicondutores Wafer de substrato de silício de 2 polegadas 8'' 12''

Tipo tipo de N do Sb N como a bolacha de silicone 6 polegadas 8 polegadas

Bolacha de semicondutor 380um do silicone da CZ 525um 625um

Tipo tipo Phos da bolacha de silicone P de 12 polegadas do boro N

O silicone superfície da bolacha de 8 polegadas terminou P/P P/E E/POR EXEMPLO /G

GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara