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2" principal μm <10 Capabilities<5um padrão da bolacha de silicone máximo

Certificado
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificações
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2" principal μm <10 Capabilities<5um padrão da bolacha de silicone máximo

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Imagem Grande :  2" principal μm <10 Capabilities<5um padrão da bolacha de silicone máximo

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Suzhou China
Marca: GaNova
Certificação: UKAS/ISO9001:2015
Número do modelo: JDCD06-001-002
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1
Detalhes da embalagem: Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 25 peças ou recipientes
Tempo de entrega: 3-4 dias da semana
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 50000pcs/month

2" principal μm <10 Capabilities<5um padrão da bolacha de silicone máximo

descrição
Diâmetro: 2" Categoria: Principal
Método do crescimento: CZ resistividade: 0.001-100 ohm-cm
De superfície terminado: P/E, P/P, E/E, G/G TTV (μm): <10μm padrão, Capabilities<5μm máximo
Curva/urdidura: <40μm padrão, Capabilities<20μm máximo Partícula: <10>
Destacar:

2" bolacha de silicone

,

Bolacha do si da CZ

,

Bolacha de silicone de UKAS

2" principal bolacha de silicone TTV (μm) m <10>padrão, Capabilitiesm máximo<5>

Dispositivos da bolacha de silicone MEMS de 2-polegada, circuitos integrados, carcaças dedicadas para dispositivos discretos


Vista geral

Os resultados fazendo à máquina do desempenho do si com resistividades dois-diferentes são discutidos usando uma técnica fazendo à máquina denaufrágio da descarga micro-elétrica ao variar parâmetros da energia da descarga. Além disso, uma técnica micro-elétrica calor-ajudada novela da máquina da descarga é executada para o si fazendo à máquina sem a qualquer camada condutora envolvida.

Especificação

bolacha de silicone

Diâmetro

2"/3"/4"/5"/6"/8"/12"
Categoria Principal
Método do crescimento CZ
Orientação <1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>
Tipo/entorpecente Tipo de P/boro, tipo de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Espessura (μm) 279/380/525/625/675/725/775
Tolerância da espessura ± padrão 25μm, ± máximo 5μm de Capabilit/ies
Resistividade 0.001-100 ohm-cm
De superfície terminado P/E, P/P, E/E, G/G
TTV (μm) Padrão <10>
Curva/urdidura Padrão <40>
Partícula <10>

Sobre nós

Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.

FAQ

Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
Geralmente é 3-5 dias se os bens estão no estoque.
ou é 7-10 dias se os bens não estão no estoque, ele é de acordo com a quantidade.
Q: Você fornece amostras? são livre ou extra?
Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas não pagamos o custo do frete.
Q: Que é seus termos de pagamento?
Pagamento <> >=5000USD do pagamento, 80% T/T adiantado, equilíbrio antes da expedição.

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

Telefone: +8613372109561

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