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Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara

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CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificações
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Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara
Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara

Imagem Grande :  Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Suzhou China
Marca: GaNova
Certificação: UKAS/ISO9001:2015
Número do modelo: JDCD03-001-004
Condições de Pagamento e Envio:
Detalhes da embalagem: Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 25 peças ou recipientes
Tempo de entrega: 3-4 dias da semana
Termos de pagamento: T/T

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara

descrição
Nome do produto: Bolacha sic Epitaxial Crystal Form: 4h
Revestimento de superfície: C-cara: Polonês ótico, Si-cara: CMP Diâmetro: 150.0mm +0mm/-0.2mm
Orientação de superfície: Fora-linha central: ° de 4°toward <11-20>±0.5 Comprimento liso preliminar: ± 1.5mm de 47.5mm
Destacar:

C-cara sic Epitaxial da bolacha

,

Bolachas Epitaxial do carboneto de silicone

,

Bolacha sic Epitaxial do CMP

C-cara sic Epitaxial da bolacha JDCD03-001-004: Polonês ótico, Si-cara: CMP

Vista geral

Envolve o crescimento dos cristais de um material na cara de cristal de um outro (heteroepitaxy) ou mesmo material (homoepitaxy). A estrutura de estrutura e a orientação ou a simetria da estrutura do material do filme fino são idêntica àquela da carcaça em que é depositado. Mais importante ainda, se a carcaça é um único cristal, a seguir o filme fino igualmente seja um único cristal. Contraste com monolayer auto-montado e mesotaxy.

Propriedade Categoria P-MOS Categoria de P-SBD Categoria de D
Crystal Form 4H
Polytype Nenhuns permitiram Area≤5%
(MPD) a ≤0.2 /cm2 ≤0.5 /cm2 ≤5 /cm2
Encantar placas Nenhuns permitiram Area≤5%
Polycrystal sextavado Nenhuns permitiram
Inclusões a Area≤0.05% Area≤0.05% N/A
Resistividade 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 0.014Ω•cm-0.028Ω•cm
(EPD) a ≤4000/cm2 ≤8000/cm2 N/A
(TED) a ≤3000/cm2 ≤6000/cm2 N/A
(BPD) a ≤1000/cm2 ≤2000/cm2 N/A
(TSD) a ≤600/cm2 ≤1000/cm2 N/A
Falha de empilhamento Área de ≤0.5% Área de ≤1% N/A

Contaminação de metal de superfície

(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, si, Ca, V, manganês) ≤1E11 cm-2

Diâmetro 150,0 milímetros +0mm/-0.2mm
Orientação de superfície Fora-linha central: ° <11-20>de 4°toward ±0.5
Comprimento liso preliminar 47,5 milímetros de ± 1,5 milímetros
Comprimento liso secundário Nenhum plano secundário
Orientação lisa preliminar To±1° paralelo<11-20>
Orientação lisa secundária N/A
Misorientation ortogonal ±5.0°
Revestimento de superfície C-cara: Polonês ótico, Si-cara: CMP
Borda da bolacha Chanfradura

Aspereza de superfície

(10μm×10μm)

Cara Ra≤0.20 nanômetro do si; Cara Ra≤0.50 nanômetro de C
Espessura a μm 350.0μm± 25,0
LTV (10mm×10mm) a ≤2μm ≤3μm
(TTV) a ≤6μm ≤10μm
(CURVA) a ≤15μm ≤25μm ≤40μm
(Urdidura) a ≤25μm ≤40μm ≤60μm
Microplaquetas/recortes Nenhuns permitiram a largura e a profundidade de ≥0.5mm Largura e profundidade de Qty.2 ≤1.0 milímetro

Riscos a

(Cara do si, CS8520)

≤5 e diâmetro cumulativo de Length≤0.5×Wafer

≤5 e Length≤1.5×Wafer cumulativo

Diâmetro

TUA (2mm*2mm) ≥98% ≥95% N/A
Quebras Nenhuns permitiram
Contaminação Nenhuns permitiram
Propriedade Categoria P-MOS Categoria de P-SBD Categoria de D
Exclusão da borda 3mm

Observação: a exclusão da borda de 3mm é usada para os artigos identificados por meio de A.

Sobre nós

Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.

FAQ

Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
Geralmente é 3-5 dias se os bens estão no estoque.
ou é 7-10 dias se os bens não estão no estoque, ele é de acordo com a quantidade.
Q: Você fornece amostras? são livre ou extra?
Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas não pagamos o custo do frete.
Q: Que é seus termos de pagamento?
Pagamento <> >=5000USD do pagamento, 80% T/T adiantado, equilíbrio antes da expedição.

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

Telefone: +8613372109561

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