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sic epitaxial wafer c face fabricação online

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Comprar Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara on-line fabricante

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara
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JDCD03-001-004 SiC Epitaxial Wafer C-Face:Optical Polish,Si-Face:CMP Overview It involves the growth of crystals of one material on the crystal face of another (heteroepitaxy) or the same (homoepitaxy) material... Leia mais
2022-10-24 10:26:24
Comprar 0.015Ω•cm-0.025Ω•da C-cara sic Epitaxial da bolacha do cm CMP polonês ótico da Si-cara on-line fabricante

0.015Ω•cm-0.025Ω•da C-cara sic Epitaxial da bolacha do cm CMP polonês ótico da Si-cara
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0.015Ω•cm—0.025Ω•cm SiC Epitaxial Wafer C-Face:Optical Polish,Si-Face CMP Overview A SiC wafer is a semiconductor material made of silicon. A silicon carbide wafer is a crystalline material that is made by ... Leia mais
2024-10-29 11:49:58
Comprar 4H SiC Epitaxial Wafer SiC Wafer Substrato Para Dispositivos Fotônicos ISO9001 on-line fabricante

4H SiC Epitaxial Wafer SiC Wafer Substrato Para Dispositivos Fotônicos ISO9001
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4H SiC Epitaxial Wafer ≤0.2 /Cm2 150.0 Mm +0mm/-0.2mm 47.5 Mm ± 1.5 Mm JDCD03-001-004 Overview An epitaixal wafer is a wafer of semiconducting material made by epitaxial growth (called epitaxy) for use in ... Leia mais
2022-10-25 14:35:48
Comprar 47,5 milímetros de ± bolacha sic Epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° paralelo de 1,5 milímetros on-line fabricante

47,5 milímetros de ± bolacha sic Epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° paralelo de 1,5 milímetros
Contato

47.5 mm ± 1.5 mm SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm Parallel to±1° JDCD03-001-003 Overview Currently, there are two main types of SiC wafers. The first type is the polished wafer, which is a single ... Leia mais
2024-10-29 11:49:58
Comprar 150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm Forma de cristal SiC Epitaxial Wafer 4H on-line fabricante

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm Forma de cristal SiC Epitaxial Wafer 4H
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150.0 mm +0mm/-0.2mm Sic Epitaxial Wafer Off-Axis:4°Toward ±0.5 ° JDCD03-001-004 Overview A SiC wafer is a semiconductor made of silicon. Its flatness, thermal conductivity, and electrical conductivity make it ... Leia mais
2022-10-24 10:20:57
Comprar Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um on-line fabricante

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um
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Beveling SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0μm± 25.0 μm JDCD03-001-004 Overview The 200-mm wafers can be used for a variety of applications. These wafers are 50% thinner than the standard silicon ... Leia mais
2022-10-24 10:21:01
Comprar Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um on-line fabricante

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um
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JDCD03-001-004 SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350.0μm± 25.0 μm JDCD03-001-004 Overview Several methods of growing the epitaxial layer on existing silicon or other wafers are currently used: metal ... Leia mais
2022-10-24 10:21:37
Comprar 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm SiC Epitaxial Wafer 47,5 mm ± 1,5 mm on-line fabricante

150,0 mm +0 mm/-0,2 mm SiC Epitaxial Wafer 47,5 mm ± 1,5 mm
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150.0mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-004 SiC Epitaxial Wafer 47.5 mm ± 1.5 mm Overview Because SiC has a high thermal conductivity, SiC dissipates heat more rapidly than other semiconductor materials. This enables ... Leia mais
2022-10-24 10:23:40
Comprar 4H bolacha sic Epitaxial ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm on-line fabricante

4H bolacha sic Epitaxial ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm
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4H SiC Epitaxial Wafer ≤0.2 /Cm2 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-004 Overview The 200-mm wafers can be used for a variety of applications. These wafers are 50% thinner than the standard ... Leia mais
2024-10-29 11:49:58
Comprar 4H bolacha sic Epitaxial 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm do Cm ≤4000/cm on-line fabricante

4H bolacha sic Epitaxial 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm do Cm ≤4000/cm
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4H SiC Epitaxial Wafer 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm ≤4000/cm2 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-003 Overview The next type is beta silicon carbide. Beta SiC is produced at temperatures higher than 1700 degrees Celsius. ... Leia mais
2024-10-29 11:49:58
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Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara

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