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Detalhes do produto:
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| Nome do produto: | Bolacha sic Epitaxial | Diâmetro: | 150.0mm +0mm/-0.2mm |
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| Orientação de superfície: | Fora-linha central: ° de 4°toward <11-20>±0.5 | Comprimento liso preliminar: | ± 1.5mm de 47.5mm |
| Comprimento liso secundário: | Nenhum plano secundário | Orientação lisa preliminar: | To<11-20>±1° paralelo |
| Misorientation ortogonal: | ±5.0° | Exclusão da borda: | 3mm |
| Destacar: | bolacha sic Epitaxial de 446mm,Bolacha de silicone epitaxial de 4 H,Bolacha sic Epitaxial de UKAS |
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47,5 milímetros de ± bolacha sic Epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to±1° paralelo de 1,5 milímetros<11-20>
JDCD03-001-003
Vista geral
Atualmente, há dois tipos principais sic de bolachas. O primeiro tipo é a bolacha lustrada, que é um único disco do carboneto de silicone. É feito de cristais da alto-pureza sic, e pode ser 100mm ou 150mm no diâmetro. É usado na eletrônica de alta potência. O segundo tipo é a bolacha cristalina epitaxial do carboneto de silicone. Este tipo de bolacha é criado adicionando camadas de únicos cristais do carboneto de silicone a uma superfície. Este método exige o controle preciso da espessura do material, e é referido como o n-tipo epitaxia.
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Propriedade |
Categoria P-MOS | Categoria de P-SBD | Categoria de D |
| Crystal Form | 4H | ||
| Polytype | Nenhuns permitiram | Area≤5% | |
| (MPD) a | ≤0.2 /cm2 | ≤0.5 /cm2 | ≤5 /cm2 |
| Encantar placas | Nenhuns permitiram | Area≤5% | |
| Polycrystal sextavado | Nenhuns permitiram | ||
| Inclusões a | Area≤0.05% | Area≤0.05% | N/A |
| Resistividade | 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm | 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm | 0.014Ω•cm-0.028Ω•cm |
| (EPD) a | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm2 | N/A |
| (TED) a | ≤3000/cm2 | ≤6000/cm2 | N/A |
| (BPD) a | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | N/A |
| (TSD) a | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | N/A |
| Falha de empilhamento | Área de ≤0.5% | Área de ≤1% | N/A |
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Contaminação de metal de superfície |
(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, si, Ca, V, manganês) ≤1E11 cm-2 |
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| Diâmetro | 150,0 milímetros +0mm/-0.2mm | ||
| Orientação de superfície | Fora-linha central: ° <11-20>de 4°toward ±0.5 | ||
| Comprimento liso preliminar | 47,5 milímetros de ± 1,5 milímetros | ||
| Comprimento liso secundário | Nenhum plano secundário | ||
| Orientação lisa preliminar | To±1° paralelo<11-20> | ||
| Orientação lisa secundária | N/A | ||
| Misorientation ortogonal | ±5.0° | ||
| Revestimento de superfície | C-cara: Polonês ótico, Si-cara: CMP | ||
| Borda da bolacha | Chanfradura | ||
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Aspereza de superfície (10μm×10μm) |
Cara Ra≤0.20 nanômetro do si; Cara Ra≤0.50 nanômetro de C | ||
| Espessura a | μm 350.0μm± 25,0 | ||
| LTV (10mm×10mm) a | ≤2μm | ≤3μm | |
| (TTV) a | ≤6μm | ≤10μm | |
| (CURVA) a | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm |
| (Urdidura) a | ≤25μm | ≤40μm | ≤60μm |
| Microplaquetas/recortes | Nenhuns permitiram a largura e a profundidade de ≥0.5mm | Largura e profundidade de Qty.2 ≤1.0 milímetro | |
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Riscos a (Cara do si, CS8520) |
≤5 e diâmetro cumulativo de Length≤0.5×Wafer |
≤5 e Length≤1.5×Wafer cumulativo Diâmetro |
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| TUA (2mm*2mm) | ≥98% | ≥95% | N/A |
| Quebras | Nenhuns permitiram | ||
| Contaminação | Nenhuns permitiram | ||
| Propriedade | Categoria P-MOS | Categoria de P-SBD | Categoria de D |
| Exclusão da borda | 3mm | ||
Observação: a exclusão da borda de 3mm é usada para os artigos identificados por meio de A.
Sobre nós
Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.
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Pagamento <>
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