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Sapphire Wafer

CHINA Sapphire Wafer

o espelho de 50mm Sapphire Wafer R9 lustrou o tipo pronto da borda R da bolacha de EPI

Diâmetro:50,8 ±0.10

Orientação de superfície:Um-plano (11-20)

Marca do laser:Como cliente exigido
Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2

Orientação de superfície:Um-plano (11-20)

Material:₃ do ₂ O do Al da pureza alta (>99.995%)

Espessura:430±15μm
A Plana Orientação da Superfície Safira Wafer Espelho Polido Pronto para EPI

Orientação de superfície:Um-plano (11-20)

Material:₃ do ₂ O do Al da pureza alta (>99.995%)

Espessura:430 ±15μm
Wafer de substrato de safira de alta pureza Al2O3 50mm Thk 430μm

Orientação de superfície:Um-plano (11-20)

Material:₃ do ₂ O do Al da pureza alta (>99.995%)

Espessura:430±15μm
A Plane Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready

Nome do produto:Sapphire Substrate Wafer

Orientação de superfície:Um-plano (11-20)

Material:₃ do ₂ O do Al da pureza alta (>99.995%)
O tipo pronto espelho de EPI Sapphire Substrate Wafer Edge R lustrou

Orientação de superfície:Um-plano (11-20)

Material:Pureza alta Al2O3 (>99.995%)

Espessura:430 ±10μm
Orientação Cristal C/M0.2 Safira Wafer Thk 440μm

Orientação de superfície:Um-plano (11-20)

Material:₃ do ₂ O do Al da pureza alta (>99.995%)

Espessura:430 ±10μm
Sapphire Substrate Wafer Thk plana 440um do comprimento (milímetro) microplaqueta de 16 diodos emissores de luz

Orientação de superfície:Um-plano (11-20)

Nome do produto:50mm Sapphire Substrate Wafer

Material:₃ do ₂ O do Al da pureza alta (>99.995%)
Alta pureza Al2O3＞99,995% safira wafer espelho polido pronto para epi

Orientação de superfície:Um-plano (11-20)

Material:₃ do ₂ O do Al da pureza alta (>99.995%)

Espessura:430 ±15μm
Crystal Orientation C/M0.2 50mm Sapphire Substrate Wafer Thk 420um

Orientação de superfície:Um-plano (11-20)

Material:₃ do ₂ O do Al da pureza alta (>99.995%)

Espessura:430 ±15μm
Tipo R 50mm Safira Wafer Espessura 420μm DE comprimento (mm) 16 LED chip

Nome do produto:Sapphire Substrate Wafer

Material:₃ do ₂ O do Al da pureza alta (>99.995%)

Borda da bolacha:R-tipo
Polimento Optoeletrônico Cristal de Safira Wafer Tipo R

Orientação de superfície:Um-plano (11-20)

Material:₃ do ₂ O do Al da pureza alta (>99.995%)

Espessura:430 ±15μm

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o espelho de 50mm Sapphire Wafer R9 lustrou o tipo pronto da borda R da bolacha de EPI

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2

A Plana Orientação da Superfície Safira Wafer Espelho Polido Pronto para EPI

Wafer de substrato de safira de alta pureza Al2O3 50mm Thk 430μm

A Plane Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready

O tipo pronto espelho de EPI Sapphire Substrate Wafer Edge R lustrou

Orientação Cristal C/M0.2 Safira Wafer Thk 440μm

Sapphire Substrate Wafer Thk plana 440um do comprimento (milímetro) microplaqueta de 16 diodos emissores de luz

Alta pureza Al2O3＞99,995% safira wafer espelho polido pronto para epi

Crystal Orientation C/M0.2 50mm Sapphire Substrate Wafer Thk 420um

Tipo R 50mm Safira Wafer Espessura 420μm DE comprimento (mm) 16 LED chip

Polimento Optoeletrônico Cristal de Safira Wafer Tipo R

GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara