A Plana Orientação da Superfície Safira Wafer Espelho Polido Pronto para EPI

Name: A Plana Orientação da Superfície Safira Wafer Espelho Polido Pronto para EPI
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD08-001-001
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

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CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificações

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A Plana Orientação da Superfície Safira Wafer Espelho Polido Pronto para EPI

Imagem Grande : A Plana Orientação da Superfície Safira Wafer Espelho Polido Pronto para EPI

Detalhes do produto:

Número do modelo:	JDCD08-001-001

Condições de Pagamento e Envio:

Detalhes da embalagem:	Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 25 peças ou recipientes
Termos de pagamento:	T/T

Contato

A Plana Orientação da Superfície Safira Wafer Espelho Polido Pronto para EPI

descrição

Orientação de superfície:	Um-plano (11-20)	Material:	₃ do ₂ O do Al da pureza alta (>99.995%)
Espessura:	430 ±15μm	R-plano:	R9
Diâmetro:	50,8 ±0.10	Borda da bolacha:	R-tipo
Destacar:	Wafer de safira de 6 polegadas , wafer de safira de 3 polegadas , silício em wafers de safira

A-Plane(11-20) Orientação da superfície Sapphire Wafer Front Surface Quality Mirror Polished, EPI-Ready

JDCD08-001-001 Diâmetro 50mm Bolacha de substrato de safira, Thk 430μm, orientação de cristal C/M0.2, OF comprimento (mm) 16 chip de LED, material de substrato

Circuitos integrados

Circuitos integrados de silício sobre safira estão disponíveis onde a camada de dióxido de silício é formada sobre substratos de safira.Isso garante que a camada dielétrica no topo seja capaz de conduzir eletricidade pelo circuito de maneira eficiente.

Parâmetros	Especificação
Parâmetros	Unidade	Alvo	Tolerância
Material	Al de alta pureza₂O₃(＞99,995%)
Diâmetro	milímetros	50,8	±0,10
Grossura	μm	430	±15
Orientação da Superfície	Plano C (0001)
- Fora do ângulo em direção ao eixo M	grau	0,20	±0,10
-Fora do ângulo em direção ao eixo A	grau	0,00	±0,10
Orientação Plana	Plano A(11-20)
-Ângulo de deslocamento plano	grau	0,0	±0,2
Comprimento plano	milímetros	16,0	±1
Plano R	R9
Rugosidade da superfície frontal (Ra)	nm	＜0,3
Rugosidade da superfície posterior	μm	0,8~1,2μm
Qualidade da superfície frontal	Espelho polido, pronto para EPI
borda da bolacha	tipo R
Amplitude do chanfro	μm	80-160
Ângulo radiano incluído entre a borda plana e a borda redonda	milímetros	R=9
TTV	μm	≤5
LTV(5x5mm)	μm	≤1,5
Arco	μm	0~-5
Urdidura	μm	≤10
marca a laser		Como o cliente exigiu

Sobre nós

Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.

Perguntas frequentes

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