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A Plana Orientação da Superfície Safira Wafer Espelho Polido Pronto para EPI

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A Plana Orientação da Superfície Safira Wafer Espelho Polido Pronto para EPI

A Plana Orientação da Superfície Safira Wafer Espelho Polido Pronto para EPI
A Plana Orientação da Superfície Safira Wafer Espelho Polido Pronto para EPI

Imagem Grande :  A Plana Orientação da Superfície Safira Wafer Espelho Polido Pronto para EPI

Detalhes do produto:
Número do modelo: JDCD08-001-001
Condições de Pagamento e Envio:
Detalhes da embalagem: Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 25 peças ou recipientes
Termos de pagamento: T/T

A Plana Orientação da Superfície Safira Wafer Espelho Polido Pronto para EPI

descrição
Orientação de superfície: Um-plano (11-20) Material: ₃ do ₂ O do Al da pureza alta (>99.995%)
Espessura: 430 ±15μm R-plano: R9
Diâmetro: 50,8 ±0.10 Borda da bolacha: R-tipo
Destacar:

Wafer de safira de 6 polegadas

,

wafer de safira de 3 polegadas

,

silício em wafers de safira

A-Plane(11-20) Orientação da superfície Sapphire Wafer Front Surface Quality Mirror Polished, EPI-Ready

JDCD08-001-001 Diâmetro 50mm Bolacha de substrato de safira, Thk 430μm, orientação de cristal C/M0.2, OF comprimento (mm) 16 chip de LED, material de substrato

Circuitos integrados

Circuitos integrados de silício sobre safira estão disponíveis onde a camada de dióxido de silício é formada sobre substratos de safira.Isso garante que a camada dielétrica no topo seja capaz de conduzir eletricidade pelo circuito de maneira eficiente.

 

Parâmetros

Especificação
Unidade Alvo Tolerância
Material Al de alta pureza2O3(>99,995%)
Diâmetro milímetros 50,8 ±0,10
Grossura μm 430 ±15
Orientação da Superfície Plano C (0001)
- Fora do ângulo em direção ao eixo M grau 0,20 ±0,10
-Fora do ângulo em direção ao eixo A grau 0,00 ±0,10
Orientação Plana Plano A(11-20)
-Ângulo de deslocamento plano grau 0,0 ±0,2
Comprimento plano milímetros 16,0 ±1
Plano R R9
Rugosidade da superfície frontal (Ra) nm <0,3
Rugosidade da superfície posterior μm 0,8~1,2μm
Qualidade da superfície frontal Espelho polido, pronto para EPI
borda da bolacha tipo R
Amplitude do chanfro μm 80-160
Ângulo radiano incluído entre a borda plana e a borda redonda milímetros R=9
TTV μm ≤5
LTV(5x5mm) μm ≤1,5
Arco μm 0~-5
Urdidura μm ≤10
marca a laser   Como o cliente exigiu

 

 

Sobre nós

Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.

 

 

Perguntas frequentes

Q: você está negociando empresa ou fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é o seu tempo de entrega?
Geralmente leva de 3 a 5 dias se as mercadorias estiverem em estoque.
ou leva de 7 a 10 dias se as mercadorias não estiverem em estoque, é de acordo com a quantidade.
P: você fornece amostras?é gratuito ou extra?
Sim, podemos oferecer a amostra gratuitamente, mas não pagamos o custo do frete.
Q: Quais são as suas condições de pagamento?
Pagamento <=5000USD, 100% adiantado.
Pagadores >=5000USD, 80% T/T adiantado, saldo antes do envio.

 

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

Telefone: +8613372109561

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