CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Mapa do Site

GaN Epitaxial Wafer

• o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI
• O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm
• Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas
• Plano da bolacha de semicondutor 325um do nitreto do gálio 375um C

Bolacha sic Epitaxial

• Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um
• 6 polegadas Tipo N Wafer P MOS Grau 4H SiC Substrato 350,0 ± 25,0um
• Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um
• Tipo 6inch 4H do SI do nível P que isola sic semi a carcaça 150mm

GaAs Epi Wafer

• 2 polegadas GaAs Epi Wafer GaAs Substratos não dopados VGF
• S-C-N conduz substratos não dopados GaAs de 2 polegadas com alta mobilidade de elétrons
• bolacha Undoped 0.4E18 do GaAs Epi das carcaças de 2inch GaAs a 1E18
• Entorpecente Undoped do si das carcaças 2inch GaAs de VGF GaAs

Substratos de Diamante CVD

• Substratos de diamante CVD de grau eletrônico Constante dielétrica 5,5
• XRD
• 3 índice de N do CVD Diamond Substrates de X 3mm2 < 100ppb para o dissipador de calor
• Conteúdo N

Sistema de recozimento térmico rápido

• Sistema de recozimento RTP-SA-8 de processamento térmico rápido de produção
• sistema de recozimento térmico rápido de 150mm com três gás do processo dos grupos

Testador de Sensor de Efeito Hall

• Medida da resistividade da mobilidade do verificador de Hall Coefficient Hall Effect Sensor
• Indústria de Hall Effect Sensor Tester Semiconductor da concentração de portador
• Medida da concentração de Hall Effect Sensor Tester Carrier dos materiais do semicondutor

Bolacha do nitreto de alumínio

• 1'' AlN Nitreto de Alumínio Wafer 400um Grau S/P/R Polimento Químico
• único cristal 400um 2H Crystal Form de 25.4mm 1inch AlN
• 1inch AlN único Crystal Aluminum Nitride Wafer 450um
• Plano C AIN em safira wafer simples ou duplo lado polido

Microplaqueta do diodo láser

• Limite de corrente 0,5A Chip de diodo laser Eficiência de inclinação de impressão a laser 1,0 W/A
• Chip laser de diodo COS 915nm 10W em design de submontagem
• pacote de Chip Printing Surface Mount Standard do diodo láser 915nm
• Tamanho do Emissor 94um Diodo Laser Chip On Submount Design Limiar Corrente 0,5A

Cristal do carboneto de silicone

• Cristal liso preliminar 4" do carboneto de silicone do comprimento 32.5mm categoria 100.0mm de P
• 4H Politype único Crystal Silicon Carbide 4" cara do si da categoria de P
• 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm cristal de carboneto de silício tipo N
• cristal 4" do carboneto de silicone de 100.0mm categoria 18.0mm de P

Bolacha Ga2O3

• Bolacha único Crystal Substrate Thickness de FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6mm a 0.8mm
• Substrato de Ga2O3 polido de lado único Espessura de cristal único 0,6 mm 0,8 mm
• bolacha Ga2O3 10x15mm único Crystal Substrate de 10x10mm
• Lubrificação de Crystal Gallium Oxide Substrate UID do semicondutor única

bolacha de silicone

• 0,001-100 ohm-cm Bolacha de Silício Tipo P Dopante de Boro
• Carcaças discretas P/P P/E E/POR EXEMPLO de superfície do si dos dispositivos de /G terminado
• 2" principal μm <10 Capabilities<5um padrão da bolacha de silicone máximo
• Substrato Primário de Bolacha Epitaxial de Silício Microeletrônico 279um

Sapphire Wafer

• o espelho de 50mm Sapphire Wafer R9 lustrou o tipo pronto da borda R da bolacha de EPI
• Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
• A Plana Orientação da Superfície Safira Wafer Espelho Polido Pronto para EPI
• Wafer de substrato de safira de alta pureza Al2O3 50mm Thk 430μm

Sapphire Substrates modelada

• Superfície frontal de substratos de safira estampados com ângulo de borda plana de 16 mm
• Sapphire Crystal Wafer modelada 2inch Sapphire Substrate
• Substratos de safira estampados de 50,80 mm Plano A de 430um
• Substrato de safira PSS estampado atrás Laser TTV 5um

Suporte da bolacha do

• Suporte de wafer de de 6 polegadas para limpeza de cestas de flores e alças

Máquina de cortar bolacha

• 0.1mm/s à linha central de corte em cubos da máquina X da bolacha 600mm/s que corta a escala 260mm
• Máquina de cortar em cubos de silício 260 mm Serra automática em cubos
• Máquina automática de fatiar wafer 8 polegadas 250 mm × 250 mm 300 mm
• Máquina de cortar wafer de 8 polegadas Faixa de corte do eixo X 260 mm 1,8 KW 2,2 KW