Casa Produtos Microplaqueta do diodo láser

Limite de corrente 0,5A Chip de diodo laser Eficiência de inclinação de impressão a laser 1,0 W/A

Name: Limite de corrente 0,5A Chip de diodo laser Eficiência de inclinação de impressão a laser 1,0 W/A
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Todos os Produtos

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Bolacha sic Epitaxial
(39)

GaAs Epi Wafer
(15)

Substratos de Diamante CVD
(15)

Sistema de recozimento térmico rápido
(2)

Testador de Sensor de Efeito Hall
(3)

Bolacha do nitreto de alumínio
(21)

Microplaqueta do diodo láser
(10)

Cristal do carboneto de silicone
(12)

Bolacha Ga2O3
(13)

bolacha de silicone
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Sapphire Substrates modelada
(10)

Suporte da bolacha do
(1)

Máquina de cortar bolacha
(5)

Certificado

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificações

Estou Chat Online Agora

Limite de corrente 0,5A Chip de diodo laser Eficiência de inclinação de impressão a laser 1,0 W/A

Imagem Grande : Limite de corrente 0,5A Chip de diodo laser Eficiência de inclinação de impressão a laser 1,0 W/A

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Suzhou China
Marca:	GaNova

Condições de Pagamento e Envio:

Detalhes da embalagem:	Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 25 peças ou recipientes
Termos de pagamento:	T/T

Contato

Limite de corrente 0,5A Chip de diodo laser Eficiência de inclinação de impressão a laser 1,0 W/A

descrição

Tipo do pacote:	Montagem em superfície, pacote padrão	Tipo:	Diodo láser
Aplicação:	impressão a laser	Temperatura de funcionamento:	15-55℃
Comprimento de onda:	915nm	Potência de saída:	10
Eficiência de inclinação:	1,0 W/A	Tamanho do Emissor:	94μm
Destacar:	Chip de diodo laser 0 , 5A , chip de 915 nm no submount

Limite de corrente 0,5A Chip de diodo laser Eficiência de inclinação de impressão a laser 1,0 W/A

Chip laser de diodo COS 915nm 10W em design de submontagem

A fonte de luz é integrada por ligação flip-chip diretamente no substrato de Si, permitindo operação em alta temperatura, e conversores de tamanho de ponto são usados para acoplamento eficiente ao guia de onda de Si.Uma estrutura de metal-semicondutor-metal (MSM) InGaAs/InP é integrada usando técnicas de ligação de wafer e usada para fotodetecção, e alta responsividade é demonstrada.

óptico
Comprimento de onda central	915nm
Potência de saída	10W
Largura Espectral FWHM	≤6 nm
Eficiência de inclinação	1,0 W/A
Divergência de Eixo Rápido	60 graus
Divergência de eixo lento	11 graus
Modo de polarização	TE
Tamanho do Emissor	94um
Elétrico
Limite atual	0,5A
Corrente Operacional	12A
Tensão operacional	1,65V
Eficiência de conversão de energia	58%
Térmico
Temperatura de operação	15-55℃
Temperatura de armazenamento	-30-70℃
Comprimento de onda Temp.Coeficiente	0,3nm/℃

Desenho

Limite de corrente 0,5A Chip de diodo laser Eficiência de inclinação de impressão a laser 1,0 W/A 0

Perguntas frequentes

Q1: Quais métodos de pagamento você suporta?
T/T e Western Union, para sua escolha

Q2: Quanto tempo posso receber o pacote?
Normalmente 1-2 semanas FedEx,DHL Express,UPS,TNT

Q3: Qual é o prazo de entrega?
O produto padrão está todo em estoque.Envio via expresso dentro de 3 a 4 dias úteis.Pilha personalizada precisa de 15 dias úteis.

Q4: você está negociando empresa ou fabricante?
Somos fabricantes com mais de 11 anos de experiência e também fornecemos soluções técnicas para todos os clientes.

P5: você pode garantir sua qualidade?
Claro, somos um dos principais fabricantes de renome na China.A qualidade para nós é o mais importante, valorizamos muito a nossa reputação.Melhor qualidade é o nosso princípio o tempo todo.

etiqueta:

Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

Telefone: +8613372109561

Outros Produtos

Chip laser de diodo COS 915nm 10W em design de submontagem

Tipo: Diodo láser

Aplicação: impressão a laser

Tipo do pacote: Montagem em superfície, pacote padrão

Temperatura de funcionamento: 15-55℃

pacote de Chip Printing Surface Mount Standard do diodo láser 915nm

Tipo do pacote: Montagem em superfície, pacote padrão

Temperatura de funcionamento: 15-55℃

Comprimento de onda: 915nm

Potência de saída: 10

Tamanho do Emissor 94um Diodo Laser Chip On Submount Design Limiar Corrente 0,5A

Tipo: Diodo láser

Aplicação: impressão a laser

Tipo do pacote: Montagem em superfície, pacote padrão

Temperatura de funcionamento: 15-55℃

Chip de diodo laser de pacote padrão de montagem em superfície 1,0 W/A

Tipo: Diodo láser

Aplicação: impressão a laser

Temperatura de funcionamento: 15-55℃

Potência de saída: 10

Chip semicondutor de diodo laser de impressão a laser 1,0 W/A Tamanho do emissor 94 μm Comprimento de onda 915 nm

Tipo: Diodo láser

Aplicação: impressão a laser

Tipo do pacote: Montagem em superfície, pacote padrão

Temperatura de funcionamento: 15-55℃

Limite de corrente 0,5A Chip de diodo laser Eficiência de inclinação de impressão a laser 1,0 W/A

GaN Epitaxial Wafer

Bolacha sic Epitaxial

GaAs Epi Wafer

Substratos de Diamante CVD

Sistema de recozimento térmico rápido

Testador de Sensor de Efeito Hall

Bolacha do nitreto de alumínio

Microplaqueta do diodo láser

Cristal do carboneto de silicone

Bolacha Ga2O3

bolacha de silicone

Sapphire Wafer

Sapphire Substrates modelada

Suporte da bolacha do

Máquina de cortar bolacha

Limite de corrente 0,5A Chip de diodo laser Eficiência de inclinação de impressão a laser 1,0 W/A

Limite de corrente 0,5A Chip de diodo laser Eficiência de inclinação de impressão a laser 1,0 W/A

Chip de diodo laser 0

5A

chip de 915 nm no submount

Microplaqueta do diodo láser do poder superior,

Microplaqueta do laser do diodo de semicondutor,

Laser Chip On Submount do diodo

Chip laser de diodo COS 915nm 10W em design de submontagem

pacote de Chip Printing Surface Mount Standard do diodo láser 915nm

Tamanho do Emissor 94um Diodo Laser Chip On Submount Design Limiar Corrente 0,5A

Chip de diodo laser de pacote padrão de montagem em superfície 1,0 W/A

Chip semicondutor de diodo laser de impressão a laser 1,0 W/A Tamanho do emissor 94 μm Comprimento de onda 915 nm

GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara