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O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Certificado
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificações
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O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm
Fe Doped GaN Substrates Resistivity > 10⁶ Ω·Cm RF Devices
O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Imagem Grande :  O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Suzhou China
Marca: GaNova
Certificação: UKAS/ISO9001:2015
Número do modelo: JDCD01-001-021
Condições de Pagamento e Envio:
Detalhes da embalagem: Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
Tempo de entrega: 3-4 dias da semana
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 10000pcs/Month

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

descrição
Dimensões: ± 50,8 1 milímetro Espessura: 350 ±25µm
Curva: - ≤ 10µm da CURVA do ≤ de 10µm Densidade macro do defeito: ² 0cm⁻
Área útil: > 90% (exclusão da borda) Nome do produto: GaN Substrates autônomo
Padrões nacionais de China: GB/T32282-2015
Destacar:

ISO GaN Substrates

,

bolacha de semicondutor gan

,

O Fe lubrificou GaN Substrates

a C-cara 2inch Fe-lubrificou o Si-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única > 106 Ω·dispositivos RF do cm

A tensão de divisão conseguida da camada epitaxial Fe-lubrificada de GaN pode ser tão alta quanto 2457 V, que é atribuída à camada epitaxial Fe-lubrificada de GaN com resistência mais alta, que pode sustentar a alta tensão da divisão. Os detalhes da correlação entre a morfologia de superfície, a concentração do Fe, e a espessura das camadas epitaxial Fe-lubrificadas de GaN usadas para dispositivos altos da tensão de divisão serão discutidos igualmente neste papel.

carcaças autônomas do si-GaN de 2-polegada
Nível excelente (s) Nível da produção (a) Nível da pesquisa (b) Nível do manequim (c)

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm 0

Nota:

(1) área útil: borda e exclusão macro dos defeitos

(2) 3 pontos: o miscut dobra das posições (2, 4, 5) é 0,35 ± 0,15o

S-1 S-2 A-1 A-2
Dimensão ± 50,8 1 milímetro
Espessura 350 μm do ± 25
Plano da orientação ± 0,5o (de 1-100), ± 16 1 milímetro
Plano secundário da orientação ± 3o (de 11-20), ± 8 1 milímetro
Resistividade (300K) > 1 x 106 Ω·cm para Semi-isolar (Fe-lubrificado; GaN-FS-C-SI-C50)
TTV μm do ≤ 15
CURVA μm do ≤ 20 μm do ≤ 40
Aspereza de superfície da cara de GA

< 0="">

ou < 0="">

Aspereza de superfície da cara de N

0,5 μm ~1,5

opção: 1~3 nanômetro (terra fina); < 0="">

Pacote Empacotado em uma sala de limpeza no único recipiente da bolacha
Área útil > 90% >80% >70%
Densidade de deslocação <9>cm2 x105 <3x10>6 cm2 <9>5 cm2 <3>cm2 x106 <3x10>6 cm2
Orientação: Plano de C (0001) fora do ângulo para a M-linha central

0,35 ± 0,15o

(3 pontos)

0,35 ± 0,15o

(3 pontos)

0,35 ± 0,15o

(3 pontos)

Densidade macro do defeito (furo) 0 cm2 < 0="">-2 < 1="" cm="">-2
Tamanho máximo de defeitos macro < 700=""> < 2000=""> < 4000="">

* padrões nacionais de China (GB/T32282-2015)

Sobre nós

Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.

FAQ

Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
Geralmente é 3-5 dias se os bens estão no estoque.
ou é 7-10 dias se os bens não estão no estoque, ele é de acordo com a quantidade.
Q: Você fornece amostras? são livre ou extra?
Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas não pagamos o custo do frete.
Q: Que é seus termos de pagamento?
Pagamento <> >=5000USD do pagamento, 80% T/T adiantado, equilíbrio antes da expedição.

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

Telefone: +8613372109561

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