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free standing gan substrates fabricação online

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Comprar Substratos de GaN Epitaxial de GaN Não Dopados com Face Livre de GaN on-line fabricante

Substratos de GaN Epitaxial de GaN Não Dopados com Face Livre de GaN
Contato

5 X 10 mm2 M Face Free-Standing GaN Substrates 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm 5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN ... Leia mais
2023-02-17 10:52:50
Comprar 10 X 10,5 mm2 Substratos GaN em pé livre - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm on-line fabricante

10 X 10,5 mm2 Substratos GaN em pé livre - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm
Contato

10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Applications Laser diodes: violet LD, blue LD, and green LD Power electronic devices, High ... Leia mais
2025-04-27 11:43:50
Comprar Espessura 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substratos de GaN independentes on-line fabricante

Espessura 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substratos de GaN independentes
Contato

10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Overview GaN Substrates GaN (gallium nitride) substrates and wafers with high quality (low ... Leia mais
2025-04-04 22:43:28
Comprar Uma cara GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates on-line fabricante

Uma cara GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates
Contato

5*10.5mm2 A Face Free-Standing GaN Substrates Thickness 350 ±25 µm 5*10.5mm2 A-face Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Gallium Nitride ... Leia mais
2023-02-17 10:57:06
Comprar Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas on-line fabricante

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas
Contato

2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices To reduce the Fe trapping carrier and the sheet resistances of the two-dimension electron gas generated ... Leia mais
2024-10-14 17:06:30
Comprar M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um on-line fabricante

M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um
Contato

5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single-crystal substrate. ... Leia mais
2022-10-08 17:04:46
Comprar 10 X 10,5 mm2 C Caracter não dopado N Tipo de substrato de cristal único GaN em pé livre on-line fabricante

10 X 10,5 mm2 C Caracter não dopado N Tipo de substrato de cristal único GaN em pé livre
Contato

10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Overview Premium quality GaN crystal substrates with low dislocation density (on the order ... Leia mais
2025-04-27 11:43:50
Comprar TTV ≤ 10μm A-Face não dopado de tipo N GaN monokristalino de sustrato independente Resistividade 0,1 Ω·cm Dispositivo de potência/Laser W on-line fabricante

TTV ≤ 10μm A-Face não dopado de tipo N GaN monokristalino de sustrato independente Resistividade 0,1 Ω·cm Dispositivo de potência/Laser W
Contato

5*10mm2 A-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium nitride (GaN) is a very hard, mechanically stable wide bandgap ... Leia mais
2025-04-27 11:43:51
Comprar Densidade de defeito macro 0cm−2 Substrato de cristal único de GaN independente do tipo SI não dopado para dispositivos RF 5*10mm2 M-Face on-line fabricante

Densidade de defeito macro 0cm−2 Substrato de cristal único de GaN independente do tipo SI não dopado para dispositivos RF 5*10mm2 M-Face
Contato

5*10mm2 M-face Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Thin Epi wafers are commonly used for leading edge MOS devices. Thick Epi or Multi... Leia mais
2025-04-27 11:43:51
Comprar 5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato de cristal único GaN de tipo N sem dopagem com TTV ≤ 10μm Resistividade 0,05 Ω·cm on-line fabricante

5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato de cristal único GaN de tipo N sem dopagem com TTV ≤ 10μm Resistividade 0,05 Ω·cm
Contato

5*10mm2 SP-face (10-11) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN has many serious advantages over silicon, being more power ... Leia mais
2025-04-27 11:43:51
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