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Espessura 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substratos de GaN independentes

Certificado
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificações
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Espessura 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substratos de GaN independentes

Espessura 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substratos de GaN independentes
Espessura 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substratos de GaN independentes

Imagem Grande :  Espessura 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substratos de GaN independentes

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Suzhou China
Marca: GaNova
Certificação: UKAS/ISO9001:2015
Número do modelo: JDCD01-001-001
Condições de Pagamento e Envio:
Detalhes da embalagem: Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
Tempo de entrega: 3-4 dias da semana
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 10000pcs/Month

Espessura 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substratos de GaN independentes

descrição
Nome do produto: GaN Substrates autônomo Dimensões: 10 x 10,5 mm²
Espessura: 350 ±25µm TTV: ≤ 10µm
Curva: - ≤ 10µm da CURVA do ≤ de 10µm Área útil: > 90% (exclusão da borda)
Destacar:

350 ± 25 μm Substratos de GaN

,

10 X 10

10*10,5mm² Face C Substrato de cristal único de GaN não dopado tipo n Resistividade < 0,1 Ω·cm Dispositivo de alimentação/laser

 


Visão geral

Substratos de GaN

Substratos e wafers de GaN (nitreto de gálio) de alta qualidade (baixa densidade de deslocamento) e os melhores preços do mercado.

Substratos de cristal de GaN livres de qualidade premium com baixa densidade de deslocamento (na ordem de 105 /cm2) e superfície uniforme sem defeitos periódicos.Esses cristais de nitreto de gálio de alta qualidade têm uma área útil de mais de 90%.As opções incluem: tipo N, tipo P, semi-isolante, plano C, plano M, plano A.Tamanhos de até 2 polegadas de diâmetro.

Vendemos diretamente da fábrica e, portanto, podemos oferecer os melhores preços do mercado para substratos de cristal GaN de alta qualidade.

 

10 x 10,5 mm2 Substratos de GaN independentes
Item GaN-FS-CU-S10 GaN-FS-CN-S10 GaN-FS-C-SI-S10

Espessura 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substratos de GaN independentes 0

Observações:
Um ângulo de arco circular (R < 2 mm) é usado para distinguir as faces Ga e N.

Dimensões 10 x 10,5 mm2
Grossura 350 ±25 µm
Orientação Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo M 0,35 ±0,15°
Tipo de Condução tipo N tipo N Semi-isolante
Resistividade (300K) < 0,1 Ω·cm < 0,05 Ω·cm > 106Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
Arco - 10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Ga Rugosidade da Superfície da Face < 0,2 nm (polido)
ou < 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia)
N Rugosidade da Superfície da Face 0,5 ~1,5 μm
opção: 1~3 nm (solo fino);< 0,2 nm (polido)
Densidade de Deslocamento De 1 x 105 a 3 x 106 cm-2 (calculado por CL)*
Densidade de Defeito Macro 0 cm-2
Área Útil > 90% (exclusão de borda)
Pacote Embalado em um ambiente de sala limpa classe 100, em contêiner de 6 PCS, sob uma atmosfera de nitrogênio

*Padrões nacionais da China (GB/T32282-2015)

 

 

Espessura 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substratos de GaN independentes 1

 

Sobre nós

Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.

 

 

Perguntas frequentes

Q: você está negociando empresa ou fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é o seu tempo de entrega?
Geralmente leva de 3 a 5 dias se as mercadorias estiverem em estoque.
ou leva de 7 a 10 dias se as mercadorias não estiverem em estoque, é de acordo com a quantidade.
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Sim, podemos oferecer a amostra gratuitamente, mas não pagamos o custo do frete.
Q: Quais são as suas condições de pagamento?
Pagamento <=5000USD, 100% adiantado.
Pagadores >=5000USD, 80% T/T adiantado, saldo antes do envio.

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

Telefone: +8613372109561

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