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Detalhes do produto:
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| Dimensões: | ± 50,8 1 milímetro | Espessura: | 350 ±25µm |
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| TTV: | ≤ 10µm | Curva: | μm do ≤ 20 |
| Densidade macro do defeito: | ² 0cm⁻ | Área útil: | > 90% (exclusão da borda) |
| Nome do produto: | GaN Substrates autônomo | Densidade de deslocação: | Do ⁵ 1x 10 ao ² do cm⁻ de 3 x 10 ⁶ (calculado pelo CL) * |
| Destacar: | 350um GaN Epitaxial Wafer,Substratos GaN Independentes,GaN Epitaxial Wafer 10 X 10 |
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Substrato monocristal de GaN dopado com Fe do tipo SI de 2 polegadas Resistividade > 106Dispositivos de RF Ω·cm
Para reduzir o transportador de aprisionamento de Fe e as resistências de folha do gás de elétrons bidimensional gerado a partir da interface de AlGaN e GaN, a razão de espessura das bicamadas de GaN dopadas e não dopadas com Fe também foi otimizada.Transistores AlGaN/GaN de alta mobilidade eletrônica com a concentração de dopagem ideal de GaN dopado com Fe e espessura adequada de GaN não dopado foram desenvolvidos com sucesso.
| 2 polegadasIndependenteSI-GaN Ssubstratos | ||||||||
| Eexcelentenível (S) | Nível de produção (A) | Nível de pesquisa (B) | Nível manequim (C) |
Observação: (1) Área utilizável: exclusão de defeitos de borda e macro (2) 3 pontos: os ângulos incorretos das posições (2, 4, 5) são 0,35 ± 0,15o |
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| S-1 | S-2 | A-1 | A-2 | |||||
| Dimensão | 50,8 ± 1 mm | |||||||
| Grossura | 350 ± 25μm | |||||||
| Orientação plana | (1-100) ± 0,5o, 16 ± 1 mm | |||||||
| Orientação secundária plana | (11-20) ± 3o, 8 ± 1 mm | |||||||
| Resistividade (300K) | > 1 x 106Ω·cm para semi-isolante (dopado com Fe; GaN-FS-C-SI-C50) | |||||||
| TTV | ≤ 15 μm | |||||||
| ARCO | ≤ 20 μm | ≤ 40 μm | ||||||
| Ga rugosidade da superfície facial |
< 0,2 nm (polido) ou < 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia) |
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| N rugosidade da superfície da face |
0,5 ~1,5 μm opção: 1~3 nm (solo fino);< 0,2 nm (polido) |
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| Pacote | Embalado em uma sala limpa em um único recipiente de wafer | |||||||
| Área utilizável | > 90% | >80% | >70% | |||||
| Luxaçãodensidade | <9,9x105cm-2 | <3x106cm-2 | <9,9x105cm-2 | <3x106cm-2 | <3x106cm-2 | |||
| Orientação: plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo M |
0,35 ± 0,15o (3 pontos) |
0,35 ± 0,15o (3 pontos) |
0,35 ± 0,15o (3 pontos) |
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| Densidade de macro defeito (furo) | 0 cm-2 | < 0,3 cm-2 | < 1 cm-2 | |||||
| Tamanho máximo de defeitos de macro | < 700 μm | < 2000 μm | < 4000 μm | |||||
* Padrões nacionais da China (GB/T32282-2015)
Sobre nós
Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.
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