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gallium nitride semiconductor wafer fabricação online

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Comprar bolacha de semicondutor do nitreto do gálio de 50.8mm uma posição livre de 2 polegadas on-line fabricante

bolacha de semicondutor do nitreto do gálio de 50.8mm uma posição livre de 2 polegadas
Contato

50.8 ± 1 mm 2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates (1-100) ± 0.5o, 16 ± 1 mm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer ... Leia mais
2022-10-08 17:22:16
Comprar Plano da bolacha de semicondutor 325um do nitreto do gálio 375um C on-line fabricante

Plano da bolacha de semicondutor 325um do nitreto do gálio 375um C
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2-inch Free-standing SI-GaN Substrates An epitaxial wafer (also called epi wafer, epi-wafer, or epiwafer) is a wafer of semiconducting material made by epitaxial growth (epitaxy) for use in photonics, ... Leia mais
2024-10-29 11:49:57
Comprar Wafer de semicondutor de nitreto de gálio monocristal TTV 10um on-line fabricante

Wafer de semicondutor de nitreto de gálio monocristal TTV 10um
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5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN substrate has a damage-free, very flat (Rms < 0.2 nm), controlled surface ... Leia mais
2024-10-29 11:49:57
Comprar GaN Monocristal Nitreto de Gálio Wafer Tipo SI on-line fabricante

GaN Monocristal Nitreto de Gálio Wafer Tipo SI
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5*10.5mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single-crystal ... Leia mais
2022-10-08 15:51:24
Comprar Single Crystal Gan Epi Wafer Substrato de Nitreto de Gállio 4 polegadas on-line fabricante

Single Crystal Gan Epi Wafer Substrato de Nitreto de Gállio 4 polegadas
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Introduction to 4-inch iron doped gallium nitride single crystal GaN substrate 4-inch iron doped gallium nitride single crystal GaN substrate is a single crystal substrate made of gallium nitride (GaN) material... Leia mais
2024-12-06 17:44:01
Comprar Lubrificação de Crystal Gallium Oxide Substrate UID do semicondutor única on-line fabricante

Lubrificação de Crystal Gallium Oxide Substrate UID do semicondutor única
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Ga2O3 Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm FWHM Leia mais
2022-10-09 10:30:43
Comprar Única Ga2O3 bolacha lustrada lateral único Crystal Substrate on-line fabricante

Única Ga2O3 bolacha lustrada lateral único Crystal Substrate
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10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Leia mais
2024-10-29 11:49:58
Comprar 375 um GaN Epitaxial Wafer Livre U-GaN SI-GaN Substratos on-line fabricante

375 um GaN Epitaxial Wafer Livre U-GaN SI-GaN Substratos
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350 ± 25 μm (11-20) ± 3o, 8 ± 1 mm 2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview ... Leia mais
2024-11-18 19:17:19
Comprar 2 polegadas de GaN em silicone verde LED Epi wafer Nitreto de gálio em silício on-line fabricante

2 polegadas de GaN em silicone verde LED Epi wafer Nitreto de gálio em silício
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Introduction to GaN on Silicon Green LED Epi wafer GaN on Silicon Green LED Epi wafer are semiconductor structures formed on silicon substrate materials through epitaxial growth technology for manufacturing ... Leia mais
2024-12-06 17:35:32
Comprar 4 polegadas de UGaN em nitruro de gálio de silício não dopado em Wafer Epitaxial de silício on-line fabricante

4 polegadas de UGaN em nitruro de gálio de silício não dopado em Wafer Epitaxial de silício
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Introduction to GaN on Silicon Green LED Epi wafer GaN on Silicon Green LED Epi wafer are semiconductor structures formed on silicon substrate materials through epitaxial growth technology for manufacturing ... Leia mais
2024-12-06 17:33:43
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sobre

GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara

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