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Detalhes do produto:
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| Destacar: | Orifícios de gan epi de cristal único,Wafer de 4 polegadas,Substrato de gan monocristalino |
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Introdução ao substrato GaN de cristal único de nitreto de gálio dopado com ferro de 4 polegadas
O substrato GaN de cristal único de nitreto de gálio dopado com ferro de 4 polegadas é um substrato de cristal único feito de material de nitreto de gálio (GaN), que melhora suas propriedades elétricas dopando elementos de ferro.O nitruro de gálio (GaN) é um material semicondutor de banda larga com uma banda direta de.4 eV, o que o torna amplamente utilizado em aparelhos optoeletrônicos e de potência electrónica.
Processo de preparação
O processo de preparação de um substrato de cristal único de nitreto de gálio dopado com ferro de 4 polegadas inclui:
Tecnologia MOCVD: utilizada para o cultivo de uma camada de cristal único de nitreto de gálio de alta qualidade 4.
Tecnologia de esfoliação a laser: utilizada para remover defeitos nas camadas de cristal único e melhorar o desempenho do substrato.
Tecnologia HVPE: utilizada para a produção em larga escala de substratos de nitruro de gálio para melhorar a eficiência da produção.
Em resumo, o substrato de cristal único de nitreto de gálio dopado com ferro de 4 polegadas é um material semicondutor de alto desempenho com amplas perspectivas de aplicação,especialmente nos campos da optoelectrónica e da electrónica de potência.
| Substratos de N-GaN de 2 polegadas | ||||||
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Nível de produção ((P) |
Res- O que foi?h(R) |
Tonto.(D) |
Nota: (1) 5 pontos: os ângulos de erro de corte de 5 posições são 0,55 ± 0,15o (2) 3 pontos: os ângulos de erro de corte das posições (2, 4, 5) são 0,55 ± 0,15o (3) Área útil: exclusão de defeitos periféricos e macro (buracos) |
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| P+ | P | - Não. | ||||
| Ponto | GaN-FS-C-N-C50-SSP | |||||
| Dimensões | 50.0 ± 0,3 mm | |||||
| Espessura | 400 ± 30 μm | |||||
| Plano de orientação | (1-100) ±0.1o,12.5 ± 1 mm | |||||
| TTV | ≤ 15 μm | |||||
| Arco-íris | ≤ 20 μm | |||||
| Resistência (300K) | ≤ 0,02 Ω·cm para o tipo N (dopado com Si) | |||||
| Ga rugosidade da superfície da face | ≤ 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia) | |||||
| N rugosidade da superfície da face | 0.5 ~ 1,5 μm (polido de um só lado) | |||||
| C plano (0001) fora de ângulo em direção ao eixo M (ângulos de incongruência) |
00,55 ± 0.1o (5 pontos) |
0.55 ± 0.15o (5 pontos) |
00,55 ± 0.15o (3 pontos) |
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| Densidade de deslocação do rosqueamento | ≤ 7,5 x 105 cm2 | ≤ 3 x 106 cm-2 | ||||
| Número e tamanho máximo dos furos em Ф47 mm no centro | 0 | ≤ 3@1000 μm | ≤ 12@1500 μm | ≤ 20@3000 μm | ||
| Área utilizável | > 90% | > 80% | > 70% | |||
| Pacote | Embalado em uma sala limpa num recipiente de wafer único | |||||
Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)
Telefone: +8613372109561
