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Detalhes do produto:
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| Nome do produto: | carcaças autônomas de 2-polegada U-GaN/SI-GaN | Dimensões: | 50,8 ± 1mm |
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| Espessura: | 350 ± 25μm | Plano da orientação: | ± 0.5˚ (de 1-100), 16 ± 1mm |
| Plano secundário da orientação: | ± 3˚ (de 11-20), 8 ± 1mm | Aspereza de superfície da cara de GA: | < 0=""> |
| Destacar: | 375um GaN Epitaxial Wafer,wafer de nitreto de gálio UKAS,GaN Epitaxial Wafer 50 |
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350 ± 25 μm (11-20) ± 3o, Substratos U-GaN/SI-GaN independentes de 8 ± 1 mm de 2 polegadas
Substrato monocristal de GaN não dopado de face C de 2 polegadas Resistividade < 0,1 Ω·cm Dispositivo de alimentação/wafer de laser
Visão geral
O padrão na indústria de materiais semicondutores especifica o método para testar a rugosidade da superfície do substrato de cristal único de GaN com um microscópio de força atômica, que se aplica a substratos de cristal único de GaN crescidos por deposição de vapor químico e outros métodos com uma rugosidade de superfície inferior a 10 nm.
| Substratos independentes de U-GaN/SI-GaN de 2 polegadas | |||||||
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Nível excelente (S) |
Nível de produção (A) |
Pesquisar nível (B) |
Fictício nível (C) |
Observação: (1) Área utilizável: exclusão de defeitos de borda e macro (2) 3 pontos: os ângulos incorretos das posições (2, 4, 5) são 0,35 ± 0,15o |
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| S-1 | S-2 | A-1 | A-2 | ||||
| Dimensões | 50,8 ± 1 mm | ||||||
| Grossura | 350 ± 25 μm | ||||||
| Orientação plana | (1-100) ± 0,5o, 16 ± 1 mm | ||||||
| Orientação secundária plana | (11-20) ± 3o, 8 ± 1 mm | ||||||
| Resistividade (300K) |
< 0,5 Ω·cm para tipo N (não dopado; GaN-FS-CU-C50) ou > 1 x 106Ω·cm para semi-isolante (dopado com Fe; GaN-FS-C-SI-C50) |
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| TTV | ≤ 15 μm | ||||||
| ARCO | ≤ 20 μm ≤ 40 μm | ||||||
| Ga rugosidade da superfície facial |
< 0,2 nm (polido) ou < 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia) |
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| N rugosidade da superfície da face |
0,5 ~1,5 μm opção: 1~3 nm (solo fino);< 0,2 nm (polido) |
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| Pacote | Embalado em uma sala limpa em um único recipiente de wafer | ||||||
| Área utilizável | > 90% | >80% | >70% | ||||
| Densidade de deslocamento | <9,9x105cm-2 | <3x106cm-2 | <9,9x105cm-2 | <3x106cm-2 | <3x106cm-2 | ||
| Orientação: plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo M |
0,35 ± 0,15o (3 pontos) |
0,35 ± 0,15o (3 pontos) |
0,35 ± 0,15o (3 pontos) |
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| Densidade de macro defeito (furo) | 0 cm-2 | < 0,3 cm-2 | < 1 cm-2 | ||||
| Tamanho máximo de defeitos de macro | < 700 μm | < 2000 μm | < 4000 μm | ||||
Sobre nós
Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.
Perguntas frequentes
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