Detalhes do produto:
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Nome do produto: | GaN Substrato | Dimensões: | 5 x 10,5 mm² |
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Espessura: | 350 ±25µm | TTV: | ≤ 10µm |
Curva: | - ≤ 10µm da CURVA do ≤ de 10µm | Densidade macro do defeito: | ² 0cm⁻ |
Destacar: | M Face GaN Epitaxial Wafer,GaN Substrates TTV 10um,GaN Epitaxial Wafer 325um |
a M-cara 5*10.5mm2 Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0="">
Vista geral
A carcaça do nitreto do gálio (GaN) é uma carcaça de alta qualidade do único-cristal. É feita com método de HVPE e tecnologia de processamento originais da bolacha, que foi desenvolvida originalmente por muitos anos. As características são uniformidade cristalina, boa alta, e qualidade de superfície superior.
O nitreto do gálio é uma tecnologia de semicondutor usada para o poder superior, aplicações de alta frequência do semicondutor. O nitreto do gálio exibe diversas características que fazem melhor do que o GaAs e o silicone para vários componentes do poder superior. Estas características incluem uma tensão mais alta da divisão e uma resistividade elétrica melhor.
M enfrenta carcaças autônomas de GaN | ||||
Artigo |
GaN-FS-M-U-s
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GaN-FS-M-n-s
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GaN-FS-m-SI-s |
Observações: Um ângulo circular do arco (R < 2="" mm=""> |
Dimensões | 5 x 10 milímetros2 | |||
Espessura | µm 350 ±25 | |||
Orientação |
Plano de M (1 - 100) fora do ângulo para a Um-linha central 0 ±0.5° Plano de M (1 - 100) fora do ângulo para a C-linha central - 1 ±0.2° |
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Tipo da condução | N-tipo | N-tipo | Semi-isolamento | |
Resistividade (300K) | < 0=""> | < 0=""> | > 106 Ω·cm | |
TTV | µm do ≤ 10 | |||
CURVA | - 10 µm do ≤ 10 da CURVA do ≤ do µm | |||
Front Surface Roughness |
< 0=""> ou < 0=""> |
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Aspereza de superfície traseira |
0,5 μm ~1,5 opção: 1~3 nanômetro (terra fina); < 0=""> |
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Densidade de deslocação | De 1 x 105 a 3 x 106 cm2 | |||
Densidade macro do defeito | 0 cm2 | |||
Área útil | > 90% (exclusão da borda) | |||
Pacote | Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, no recipiente de 6 PCS, sob uma atmosfera do nitrogênio |
Apêndice: O diagrama do ângulo do miscut
Se o grau ±0.5 do δ1 = 0, a seguir o plano de M (1 - 100) fora do ângulo para a Um-linha central são 0 graus ±0.5.
Se δ2 = - 1 grau ±0.2, a seguir o plano de M (1 - 100) fora do ângulo para a C-linha central são - 1 grau ±0.2.
Sobre nós
Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.
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Pagamento <>
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