10 X 10,5 mm2 Substratos de GaN independentes - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm

Name: 10 X 10,5 mm2 Substratos de GaN independentes - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Brand: GaNova
SKU: JDCD01-001-001
Rating: 4.8 (163 reviews)

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10 X 10,5 mm2 Substratos de GaN independentes - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm

Imagem Grande : 10 X 10,5 mm2 Substratos de GaN independentes - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Suzhou China
Marca:	GaNova
Certificação:	UKAS/ISO9001:2015
Número do modelo:	JDCD01-001-001

Condições de Pagamento e Envio:

Detalhes da embalagem:	Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
Tempo de entrega:	3-4 dias da semana
Termos de pagamento:	T/T
Habilidade da fonte:	10000pcs/Month

Contato

10 X 10,5 mm2 Substratos de GaN independentes - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm

descrição

Nome do produto:	GaN Epitaxial Wafer	Dimensões:	10 x 10,5 mm²
Espessura:	350 ±25µm	Orientação:	Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo M 0,35 ±0,15°
TTV:	≤ 10µm	Curva:	- ≤ 10µm da CURVA do ≤ de 10µm

10*10,5mm² Face C Substrato de cristal único de GaN não dopado tipo n Resistividade < 0,1 Ω·cm Dispositivo de alimentação/laser

Formulários

Diodos de laser: LD violeta, LD azul e LD verde
Dispositivos eletrônicos de potência, Dispositivos eletrônicos de alta frequência

Mais de 10 anos de experiência em tecnologia de fabricação de wafer com substratos GaAs foram aplicados à produção de substrato GaN.O substrato GaN tem uma orientação de superfície controlada, livre de danos, muito plana (Rms < 0,2 nm) e superfícies de etapas atômicas controladas.A qualidade da superfície adequada para o crescimento epitaxial foi alcançada.

10 x 10,5 mm2 Substratos de GaN independentes
Item	GaN-FS-CU-S10	GaN-FS-CN-S10	GaN-FS-C-SI-S10	Observações: Um ângulo de arco circular (R < 2 mm) é usado para distinguir as faces Ga e N.
Dimensões	10 x 10,5 mm²
Grossura	350 ±25 µm
Orientação	Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo M 0,35 ±0,15°
Tipo de Condução	tipo N	tipo N	Semi-isolante
Resistividade (300K)	< 0,1 Ω·cm	< 0,05 Ω·cm	> 10⁶Ω·cm
TTV	≤ 10 µm
Arco	- 10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Ga Rugosidade da Superfície da Face	< 0,2 nm (polido) ou < 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia)


N Rugosidade da Superfície da Face	0,5 ~1,5 μm opção: 1~3 nm (solo fino);< 0,2 nm (polido)


Densidade de Deslocamento	De 1 x 10⁵para 3 x 10⁶cm^-2(calculado por CL)*
Densidade de Defeito Macro	0 cm^-2
Área Útil	> 90% (exclusão de borda)
Pacote	Embalado em um ambiente de sala limpa classe 100, em contêiner de 6 PCS, sob uma atmosfera de nitrogênio

*Padrões nacionais da China (GB/T32282-2015)

10 X 10,5 mm2 Substratos de GaN independentes - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm 1

Sobre nós

Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.

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