Detalhes do produto:
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Ra: | ≤0.5nm | Espessura: | 0.6~0.8mm |
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Nome do produto: | Único Crystal Substrate | Superfície lustrada: | Único lado lustrado |
Orientação: | (010) | FWHM: | <350arcsec> |
Destacar: | Substrato de Ga2O3 polido lateralmente,substrato de óxido de gálio de 0,8 mm |
Ga polido de lado único2O3Espessura do substrato de cristal único 0,6 ~ 0,8 mm
10x15mm2(010) Ga independente dopado com Sn2O3substrato de cristal único Grau de produto polimento único Espessura 0,6~0,8 mm FWHM<350arcsec,Ra≤0,5nm Resistência 2,00E+17Ω/cm-3Dispositivos optoeletrônicos, camadas isolantes de materiais semicondutores e filtros UV
GaN está crescendo em importância por causa de sua capacidade de oferecer desempenho significativamente aprimorado em uma ampla gama de aplicativos, reduzindo a energia e o espaço físico necessários para fornecer esse desempenho em comparação com as tecnologias de silício convencionais.
O silício tem sido o material de escolha para a fabricação de eletrônicos importantes, incluindo tudo, desde computadores e smartphones até televisores e câmeras.
Substrato de nitreto de gálio -- Nível de pesquisa | ||
Dimensão | 10*15mm | 10*10mm |
Grossura | 0,6~0,8mm | |
Orientação | (010) | |
Doping | Sn | |
superfície polida | Único lado polido | |
Resistividade/Nd-Na | 2.00E+17 | 1.53E+18 |
FWHM | <350 segundos de arco | |
Rá | ≤ 0,5 nm | |
Pacote | Embalado em um ambiente de sala limpa classe 100, sob uma atmosfera de nitrogênio |
Sobre nós
Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.
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