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Detalhes do produto:
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| Nome do produto: | Wafer GaAs-Si | Tipo de Conduta: | S-C-N |
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| dopante: | GaAs-Si | Ângulo de Orientação: | 0° |
| DE Orientação: | EJ[0-1-1]±0,5° | DE Comprimento (mm): | 17±1 |
| Destacar: | S-C-N substrato semicondutor,GaAs-Si Wafer ISO,substrato semicondutor 17mm |
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SCN Conduz GaAs de 2 polegadas (100) Substratos não dopados Alta mobilidade de elétrons
Visão geral
Com o desenvolvimento de mini-LED e micro-LED, LEDs de luz vermelha produzidos com substratos GaAs são cada vez mais usados para telas de exibição e em AR/VR.
GaAs é um material semicondutor com excelentes características de desempenho, incluindo banda proibida direta, alta mobilidade de elétrons, baixo ruído de alta frequência e alta eficiência de conversão.
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Wafer GaAs-Si |
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Método de Crescimento |
VGF |
| Tipo de Conduta | SCN |
| dopante | GaAs-Si |
| Orientação | (100) 15°±0,5° Desligado em direção <111>A |
| Ângulo de Orientação | 0° |
| DE Orientação | EJ[0-1-1]±0,5° |
| DE Comprimento (mm) | 17±1 |
| Orientação IF | EJ[0-11]±0,5° |
| SE Comprimento (mm) | 7±1 |
| Diâmetro (mm) | 50,8±0,2 |
| CC(/cc) | 0,4E18~1E18 |
| Resistividade (ohm.cm) | N / D |
| Mobilidade(cm2/vs) | ≥1000 |
| DEP (/cm2) | ≤5000 |
| Espessura (um) | 350±20 |
| TTV(um) | <10 |
| TTR(um) | <10 |
| arco (um) | <15 |
| Warp(um) | <15 |
| Superfície | Lado 1: Polido Lado 2: Gravado |
| Embalagem | Cassete ou single |
Sobre nós
Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.
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