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Detalhes do produto:
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| Nome do produto: | GaAs (100) Substratos não dopados | Método do crescimento: | VGF |
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| Tipo de Conduta: | S-C-N | dopante: | GaAs-Si |
| DE Orientação: | EJ[0-1-1]±0,5° | Orientação IF: | EJ[0-11]±0,5° |
| Destacar: | Carcaças Undoped de VGF,Carcaças S-C-N do GaAs,Carcaças Undoped do GaAs |
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100) carcaças Undoped de 2inch GaAs ((100) 15°±0.5° fora de TowardA<111>
100) carcaças Undoped de 2inch GaAs (
Vista geral
O GaAs é um material do semicondutor com as características de desempenho excelentes que incluem a diferença de faixa direta, a mobilidade de elétron alta, a eficiência de conversão de baixo nível de ruído, e alta de alta frequência.
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Bolacha do GaAs-si |
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Método do crescimento |
VGF |
| Tipo da conduta | S-C-N |
| Entorpecente | GaAs-si |
| Orientação | (100) 15°±0.5° fora de TowardA<111> |
| Ângulo da orientação | 0° |
| Da orientação | EJ [0-1-1] ±0.5° |
| Do comprimento (milímetros) | 17±1 |
| SE orientação | EJ [0-11] ±0.5° |
| SE comprimento (milímetros) | 7±1 |
| Diâmetro (milímetros) | 50.8±0.2 |
| Centímetro cúbico (/c.c.) | 0.4E18~1E18 |
| Resistividade (ohm.cm) | N/A |
| Mobilidade (cm2/v.s) | ≥1000 |
| EPD (/cm2) | ≤5000 |
| Espessura (um) | 350±20 |
| TTV (um) | <10> |
| TTR (um) | <10> |
| Curve (um) | <15> |
| Entorte (um) | <15> |
| Superfície | Side1: Side2 lustrado: Gravado |
| Empacotamento | Gaveta ou único |
Sobre nós
Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.
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