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Plano C AIN em safira wafer simples ou duplo lado polido

Certificado
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificações
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Plano C AIN em safira wafer simples ou duplo lado polido

Plano C AIN em safira wafer simples ou duplo lado polido
Plano C AIN em safira wafer simples ou duplo lado polido

Imagem Grande :  Plano C AIN em safira wafer simples ou duplo lado polido

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Suzhou China
Marca: GaNova
Certificação: UKAS/ISO9001:2015
Número do modelo: JDWY01-001-001
Condições de Pagamento e Envio:
Detalhes da embalagem: Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 25 peças ou recipientes
Termos de pagamento: T/T

Plano C AIN em safira wafer simples ou duplo lado polido

descrição
Dimensões: φ50.8mm±0.1mm, DE (1-100), Al Face, encontrando a borda 16.0± 1.0mm Carcaça: Safira (laterais simples ou duplos lustrados)
Tipo da condução: Semi-isolamento Zona de exclusão de borda: <2mm
Aspereza de superfície: Ra Nome do produto: Bolacha do nitreto de alumínio
XRD FWHM de (002): ≤80arcsec, ≤100arcsec, ≤120arcsec, ≤160arcsec XRD FWHM de (102): ≤650arcsec, ≤550arcsec, ≤450arcsec, ≤400arcsec
Destacar:

C-plane Sapphire Wafer

,

substrato aln 50

,

8 mm

Plano C (0001)±1oAIN On Sapphire Wafer Sapphire (Single ou Double Side Polido)

Filme de 2 polegadas de espessura (1,2)Um AIN On Sapphire Wafer SSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec UV Desinfecção LED Chip

 

 

O substrato AlN é um dos substratos cerâmicos mais populares que possui excelente resistência ao calor, alta resistência mecânica, resistência à abrasão e pequena perda dielétrica.A superfície do substrato AlN é bastante lisa e de baixa porosidade.Nitreto de alumínio tem maior condutividade térmica, em comparação com o substrato de alumina, é cerca de 7 a 8 vezes maior.O substrato AlN é um excelente material de embalagem eletrônica.

Fornecemos substrato de AlN para uma ampla gama de aplicações, incluindo microeletrônica de filme fino e filme grosso, componentes de circuito de RF/microondas de alta potência e alta frequência e capacitor ou resistor, entre em contato conosco para obter mais informações sobre o produto wafer de cerâmica.
 

 

Item AlN-TCU-C50
Dimensões φ50,8 mm±0,1 mm,OF(1-100),Al Face,Location Edge 16,0± 1,0 mm
Substrato Safira (lado simples ou duplo polido)
Grossura 1~5μm
Orientação

Plano C (0001)±1o

Tipo de Condução Semi-isolante
Qualidade cristalina Grossura XRD FWHM de (002) XRD FWHM de (102)
  [1,2)μm ≤80 segundos de arco ≤650 segundos de arco
  [2,3)μm ≤100 segundos de arco ≤550 segundos de arco
  [3,4)μm ≤120 segundos de arco ≤450 segundos de arco
  [4,5)μm ≤160 segundos de arco ≤400 segundos de arco
Zona de exclusão de borda

 

<2mm

Rigidez da superfície Ra<1,5nm(10*10μm)
Pacote Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 25 peças ou recipientes de wafer único.

 

 

Sobre nós

Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.

 

 

Perguntas frequentes

Q: você está negociando empresa ou fabricante?
Nós somos fábrica.
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Geralmente leva de 3 a 5 dias se as mercadorias estiverem em estoque.
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Sim, podemos oferecer a amostra gratuitamente, mas não pagamos o custo do frete.
Q: Quais são as suas condições de pagamento?
Pagamento <=5000USD, 100% adiantado.
Pagadores >=5000USD, 80% T/T adiantado, saldo antes do envio.

 

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

Telefone: +8613372109561

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