Casa Produtos Bolacha do nitreto de alumínio

Plano C AIN em safira wafer simples ou duplo lado polido

Name: Plano C AIN em safira wafer simples ou duplo lado polido
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDWY01-001-001
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

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Certificado

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificações

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Plano C AIN em safira wafer simples ou duplo lado polido

Imagem Grande : Plano C AIN em safira wafer simples ou duplo lado polido

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Suzhou China
Marca:	GaNova
Certificação:	UKAS/ISO9001:2015
Número do modelo:	JDWY01-001-001

Condições de Pagamento e Envio:

Detalhes da embalagem:	Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 25 peças ou recipientes
Termos de pagamento:	T/T

Contato

Plano C AIN em safira wafer simples ou duplo lado polido

descrição

Dimensões:	φ50.8mm±0.1mm, DE (1-100), Al Face, encontrando a borda 16.0± 1.0mm	Carcaça:	Safira (laterais simples ou duplos lustrados)
Tipo da condução:	Semi-isolamento	Zona de exclusão de borda:	<2mm
Aspereza de superfície:	Ra	Nome do produto:	Bolacha do nitreto de alumínio
XRD FWHM de (002):	≤80arcsec, ≤100arcsec, ≤120arcsec, ≤160arcsec	XRD FWHM de (102):	≤650arcsec, ≤550arcsec, ≤450arcsec, ≤400arcsec
Destacar:	C-plane Sapphire Wafer , substrato aln 50 , 8 mm

Plano C (0001)±1^oAIN On Sapphire Wafer Sapphire (Single ou Double Side Polido)

Filme de 2 polegadas de espessura (1,2)Um AIN On Sapphire Wafer SSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec UV Desinfecção LED Chip

O substrato AlN é um dos substratos cerâmicos mais populares que possui excelente resistência ao calor, alta resistência mecânica, resistência à abrasão e pequena perda dielétrica.A superfície do substrato AlN é bastante lisa e de baixa porosidade.Nitreto de alumínio tem maior condutividade térmica, em comparação com o substrato de alumina, é cerca de 7 a 8 vezes maior.O substrato AlN é um excelente material de embalagem eletrônica.

Fornecemos substrato de AlN para uma ampla gama de aplicações, incluindo microeletrônica de filme fino e filme grosso, componentes de circuito de RF/microondas de alta potência e alta frequência e capacitor ou resistor, entre em contato conosco para obter mais informações sobre o produto wafer de cerâmica.

Item	AlN-TCU-C50
Dimensões	φ50,8 mm±0,1 mm,OF(1-100),Al Face,Location Edge 16,0± 1,0 mm
Substrato	Safira (lado simples ou duplo polido)
Grossura	1~5μm
Orientação	Plano C (0001)±1^o
Tipo de Condução	Semi-isolante
Qualidade cristalina	Grossura	XRD FWHM de (002)	XRD FWHM de (102)
	[1,2)μm	≤80 segundos de arco	≤650 segundos de arco
	[2,3)μm	≤100 segundos de arco	≤550 segundos de arco
	[3,4)μm	≤120 segundos de arco	≤450 segundos de arco
	[4,5)μm	≤160 segundos de arco	≤400 segundos de arco
Zona de exclusão de borda	<2mm
Rigidez da superfície	Ra<1,5nm(10*10μm)
Pacote	Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 25 peças ou recipientes de wafer único.

Sobre nós

Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.

Perguntas frequentes

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Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

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Tipo da condução: Semi-isolamento

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