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GaN Epitaxial Wafer

SP-Face 11-12 Não dopado Tipo N GaN de stand-alone Substrato de cristal único Resistividade 0,05 Ω·cm Densidade de defeito macro 0cm−2
Dispositivo de potência 5x10 mm2 Substrato de cristal único GaN de tipo N não dopado, com resistividade 0,1 Ω·cm e BOW dentro de 10 μm
5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato de cristal único GaN de tipo N sem dopagem com TTV ≤ 10μm Resistividade 0,05 Ω·cm
5*10mm2 SP-Face 10-11 Não dopado GaN de tipo N independente Substrato de cristal único 0,1 Ω·cm Resistividade para dispositivo de potência

Bolacha sic Epitaxial

2 polegadas de GaN em silicone verde LED Epi wafer Nitreto de gálio em silício
2 polegadas de GaN no silício azul LD Epi Wafer GaN laser azul no silício
GaN laser violeta no silício 2 polegadas GaN no silício HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer
Barreira de AlGaN 4 polegadas GaN em silicone HEMT Epi wafer nitruro de gálio GaN-on-Si

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Contacto

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

Telefone: +8613372109561

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o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara