5*10mm2 SP-Face 10-11 Não dopado GaN de tipo N independente Substrato de cristal único 0,1 Ω·cm Resistividade para dispositivo de potência

Name: 5*10mm2 SP-Face 10-11 Não dopado GaN de tipo N independente Substrato de cristal único 0,1 Ω·cm Resistividade para dispositivo de potência
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD01-001-010
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

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5*10mm2 SP-Face 10-11 Não dopado GaN de tipo N independente Substrato de cristal único 0,1 Ω·cm Resistividade para dispositivo de potência

Imagem Grande : 5*10mm2 SP-Face 10-11 Não dopado GaN de tipo N independente Substrato de cristal único 0,1 Ω·cm Resistividade para dispositivo de potência

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Suzhou China
Marca:	GaNova
Certificação:	UKAS/ISO9001:2015
Número do modelo:	JDCD01-001-010

Condições de Pagamento e Envio:

Detalhes da embalagem:	Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
Tempo de entrega:	3-4 dias da semana
Termos de pagamento:	T/T
Habilidade da fonte:	10000pcs/Month

Contato

5*10mm2 SP-Face 10-11 Não dopado GaN de tipo N independente Substrato de cristal único 0,1 Ω·cm Resistividade para dispositivo de potência

descrição

Dimensões:	² de 5 x de 10mm	Espessura:	350 ±25µm
Orientação:	(10- 11) plano fora do ângulo em direção ao eixo A 0 ±0,5° (10- 11) plano fora do ângulo em direção	TTV:	≤ 10µm
Curva:	≤ 10µm da CURVA do ≤ de -10µm	Densidade macro do defeito:	² 0cm⁻
Área útil:	> 90% (exclusão da borda)
Destacar:	0.1 Ω·cm GaN Substrato de cristal único , 5*10mm2 GaN Substrato de cristal único

a SP-cara 5*10.5mm2 (10-11) Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0="">

As redes adversarial Generative (GANs) são as arquiteturas algorítmicas que usam duas redes neurais, picada uma contra o outro (assim o “adversarial ") a fim gerar exemplos novos, sintéticos dos dados que podem passar para dados reais. São usados extensamente na geração da imagem, na geração video e na geração da voz.

(10- 11) enfrente carcaças autônomas de GaN
Artigo	GaN-FS-SP-U-s	GaN-FS-SP-N-s	GaN-FS-SP-SI-s	Observações: Um ângulo circular do arco (R < 2="" mm="">
Dimensões	5 x 10 milímetros²
Espessura	µm 350 ±25
Orientação	(10 - 11) plano fora do ângulo para a Um-linha central 0 ±0.5° (10 - 11) plano fora do ângulo para a C-linha central - 1 ±0.2°
Tipo da condução	N-tipo	N-tipo	Semi-isolamento
Resistividade (300K)	< 0="">	< 0="">	> 106 Ω·cm
TTV	µm do ≤ 10
CURVA	- 10 µm do ≤ 10 da CURVA do ≤ do µm
Front Surface Roughness	< 0=""> ou < 0="">
Aspereza de superfície traseira	0,5 μm ~1,5 opção: 1~3 nanômetro (terra fina); < 0="">
Densidade de deslocação	De 1 x 105 a 3 x 106 cm2
Densidade macro do defeito	0 cm2
Área útil	> 90% (exclusão da borda)
Pacote	Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, no recipiente de 6 PCS, sob uma atmosfera do nitrogênio

Apêndice: O diagrama do ângulo do miscut

5*10mm2 SP-Face 10-11 Não dopado GaN de tipo N independente Substrato de cristal único 0,1 Ω·cm Resistividade para dispositivo de potência 1

Se ±0.5°_do δ₁ = 0, a seguir (10 - 11) o plano fora do ângulo para a Um-linha central são 0 ±0.5°.

Se δ₂ = - 1 ±0.2°, a seguir (10 - 11) o plano fora do ângulo para a C-linha central são - 1 ±0.2°.

Sobre nós

Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.

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Pagamento <> >=5000USD do pagamento, 80% T/T adiantado, equilíbrio antes da expedição.

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Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

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