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Imagem Grande :  Conteúdo N

Detalhes do produto:
Marca: GaNova
Número do modelo: JDCD05-001-001
Condições de Pagamento e Envio:
Detalhes da embalagem: Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
Tempo de entrega: 3-4 dias da semana
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 5000pcs/month

Conteúdo N

descrição
Densidade (g/cm3): 3.515 Módulo de Young (PGa): 1050
Nome do produto: Substratos de Diamante CVD Resistência à fratura (MPa·m1/2): 1~8
Coeficiente de fricção: 0,1 Condutividade térmica (300K,Wm·K): 1000~2000
Destacar:

Bolacha de cristal único 100ppb

,

bolacha de quartzo de cristal de 0

,

3 mm

3*3mm²*0,3mm Diamante monocristal de grau eletrônico, Conteúdo N<100ppb, XRD<0,015º Para dissipador de calor

 

Visão geral

O progresso notável nos métodos CVD de síntese de diamante tornou possível preparar diamantes adequados para detecção de radiação com propriedades personalizadas em rotina.As melhorias contínuas nos métodos CVD oferecem avanços futuros empolgantes e placas/filmes de diamante de cristal único homo-epitaxial de grande área.Existem muitas aplicações, como diodos de RF, BJT, FET, MEMS e indústria eletrônica devido aos resultados promissores mostrados pelos diamantes CVD.A inovação contínua e os esforços sustentados dariam direção no campo médico, como o dosímetro de radioterapia.


 

Especificação

propriedades diamante sintético  
Densidade (g/cm3) 3.515 Propriedades intrínsecas
Módulo de Young (PGa) 1050

Propriedade mecânica

Dureza (PGa)

70 ~ 120 cristal único

60~100 policristalino

Força de quebra

2.5-3GPasingle crystal

200-1100MPa policristalino

Resistência à fratura (MPa·m1/2) 1~8
Coeficiente de fricção 0,1
Condutividade térmica (300K,Wm·K) 1000~2000 Propriedades térmicas
Coeficiente de expansão térmica (×10-6/℃) 1 (temperatura ambiente)
Índice de refração (590 nm) 2.4 Propriedades ópticas
Transmissão de luz 225nm para infravermelho distante
Largura da lacuna de banda (ev) 5.47 Propriedades elétricas
Resistividade (Ω·cm) >1010
Mobilidade eletrônica (cm2/V·s) 4500
Mobilidade do furo (cm2/V·s) 3800
Constante dielétrica 5.5 Propriedades dielétricas
Perdas dielétricas <2×10-4

 

 

Sobre nós

Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.

 

 

Perguntas frequentes

Q: você está negociando empresa ou fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é o seu tempo de entrega?
Geralmente leva de 3 a 5 dias se as mercadorias estiverem em estoque.
ou leva de 7 a 10 dias se as mercadorias não estiverem em estoque, é de acordo com a quantidade.
P: você fornece amostras?é gratuito ou extra?
Sim, podemos oferecer a amostra gratuitamente, mas não pagamos o custo do frete.
Q: Quais são as suas condições de pagamento?
Pagamento <=5000USD, 100% adiantado.
Pagadores >=5000USD, 80% T/T adiantado, saldo antes do envio.

 

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

Telefone: +8613372109561

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