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Detalhes do produto:
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| Nome do produto: | Bolacha sic Epitaxial | Crystal Form: | 4h |
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| Diâmetro: | 150,0 mm+0,0/-0,2 mm | Orientação de superfície: | {0001}±0,2° |
| Comprimento da aresta de referência principal: | Entalhe | Comprimento da aresta de referência secundária: | Sem arestas de sub-referência |
| Destacar: | 4H que isola semi a carcaça,Carcaça do carboneto de silicone do nível P,6inch que isola semi a carcaça |
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Si-tipo 6inch 4H-SiC do nível P que isola semi a carcaça 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm
Si-tipo 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω do nível P da carcaça de 6inch 4H-SiC·cm para dispositivos do poder e da micro-ondas
Vista geral
Tem sic as seguintes propriedades:
É usado sic para a fabricação de dispositivos muito de alta tensão e de alta potência tais como diodos, transistor de poder, e dispositivos da micro-ondas do poder superior. Comparado aos Si-dispositivos convencionais, os dispositivos de poder SIC-baseados têm tensões mais rápidas da velocidade de comutação umas mais altas, umas mais baixas resistências parasíticas, tamanho menor, refrigerando menos exigido devido à capacidade de alta temperatura.
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6inch 4H-SiC que isola semi a carcaça |
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| Desempenho de produto | P | D | |
| Formulário de cristal | 4H | ||
| Politípico | Para não reservar | Area≤5% | |
| Micropipe Densitya | ≤0.5/cm2 | ≤5/cm2 | |
| Seis quadrados esvaziam | Para não reservar | Area≤5% | |
| Cristal híbrido de superfície do hexágono | Para não reservar | ||
| wrappage a | Area≤0.05% | N/A | |
| Resistividade | ≥1E9Ω·cm | ≥1E5Ω·cm | |
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(0004) XRD Meia largura da altura da curva de balanço (FWHM) |
Arcsecond ≤45 |
N/A |
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| Diâmetro | 150.0mm+0.0/-0.2mm | ||
| Orientação de superfície | {0001} ±0.2° | ||
| Comprimento da borda de referência principal | Entalhe | ||
| Comprimento da borda de referência secundária | Nenhumas bordas da secundário-referência | ||
| Orientação do entalhe | <1-100>±1° | ||
| Ângulo do entalhe | 90° +5°/-1° | ||
| Grau do entalhe de profundidade | Da borda 1mm +0.25mm/-0mm | ||
| preparação de superfície | C-cara: Revestimento do espelho, Si-cara: Polonês mecânico químico (CMP) | ||
| A borda da bolacha | chanfradura da borda da bolacha | ||
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Aspereza de superfície (10μm×10μm)
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C-cara Ra≤0.5 nanômetro da cara Ra≤0.2 nanômetro do si
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| espessura |
350.0μm±25.0μm
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| LTV (10mm×10mm) a |
≤2µm
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≤3µm
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| TTVa |
≤6µm
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≤10µm
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| Bowa |
≤25µm
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≤40µm
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| Warpa |
≤40µm
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≤60µm
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| Borda/diferença quebradas | As bordas do colapso de um comprimento e de uma largura de ≥0.5mm não são permitidas | ≤2 e cada comprimento e largura de ≤1.0mm | |
| scratcha | ≤5And o is≤ do comprimento total 0,5 vezes o diâmetro | ≤5, e os tempos do comprimento total is≤1.5 o diâmetro | |
| falha | para não reservar | ||
| poluição | para não reservar | ||
| Remoção da borda |
3mm |
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Observação: a exclusão da borda de 3mm é usada para os artigos identificados por meio de A.
Sobre nós
Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.
FAQ
Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
Nós somos fábrica.
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Geralmente é 3-5 dias se os bens estão no estoque.
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Q: Você fornece amostras? são livre ou extra?
Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas não pagamos o custo do frete.
Q: Que é seus termos de pagamento?
Pagamento <>
>=5000USD do pagamento, 80% T/T adiantado, equilíbrio antes da expedição.
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