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Detalhes do produto:
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| Orientação de superfície: | Um-plano (11-20) | Nome do produto: | 50mm Sapphire Substrate Wafer |
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| Material: | ₃ do ₂ O do Al da pureza alta (>99.995%) | Espessura: | 430±10μm |
| R-plano: | R9 | Diâmetro: | 50,8 ±0.10 |
| Destacar: | Sapphire Substrate 440um,única safira de cristal 50mm,Sapphire Substrate plana |
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50mm Sapphire Substrate Wafer Thk 430μm do comprimento (milímetro) microplaqueta de 16 diodos emissores de luz
JDCD08-001-001 bolacha da carcaça da safira do diâmetro 50mm, Thk 430μm, orientação de cristal C/M0.2, do comprimento (milímetro) microplaqueta de 16 diodos emissores de luz, material da carcaça
O material é crescido e orientado, e as carcaças são fabricadas e lustradas a uma superfície Epi-pronta livre de dano extremamente liso em um ou ambo o lado da bolacha. Uma variedade de orientações da bolacha e tamanhos até 6" diâmetro estão disponíveis.
As carcaças da safira do Um-plano - são usadas geralmente para as aplicações microeletrónicas híbridas que exigem uma constante de dielétrico uniforme e que isolam altamente características.
Carcaças do C-plano - tenda a ser usado para compostos do lll-V e do ll-Vl, tais como GaN, para o diodo emissor de luz brilhante e diodos láser azuis e verdes.
Carcaças do R-plano - estes são preferidos para o depósito hetero-epitaxial do silicone usado em aplicações microeletrónicas de IC.
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Parâmetros |
Especificação | ||
| Unidade | Alvo | Tolerância | |
| Material | Pureza alta Al2O3 (>99.995%) | ||
| Diâmetro | milímetro | 50,8 | ±0.10 |
| Espessura | μm | 430 | ±10 |
| Orientação de superfície | Um-plano (11-20) | ||
| - Fora do ângulo para a M-linha central | grau | 0,00 | ±0.10 |
| - Fora do ângulo para a Um-linha central | grau | 0,00 | ±0.10 |
| Orientação lisa | C-plano (0001) | ||
| - Ângulo deslocado liso | grau | 0,0 | ±0.2 |
| Comprimento liso | milímetro | 16,0 | ±1 |
| R-plano | R9 | ||
| Aspereza de superfície dianteira (Ra) | nanômetro | <0.3 | |
| Aspereza de superfície traseira | μm | 0.9~1.2μm | |
| Qualidade de superfície dianteira | O espelho lustrou, EPI-pronto | ||
| Borda da bolacha | R-tipo | ||
| Amplitude da chanfradura | μm | 80-160 | |
| Radiano incluído do ângulo entre a borda lisa e a borda redonda | milímetro | R=9 | |
| TTV | μm | ≤5 | |
| LTV (5x5mm) | μm | ≤1.5 | |
| Curva | μm | 0~-5 | |
| Urdidura | μm | ≤10 | |
| Marca do laser | Como cliente exigido | ||
Sobre nós
Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.
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