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bolacha de silicone

CHINA bolacha de silicone

Dispositivos discretos Espessura de wafer de silício de 2 polegadas 675um 725um 775um

Diâmetro:2"

Categoria:Principal

Método do crescimento:CZ
775um 725um 675um dispositivos de semicondutor da bolacha de 8 polegadas

Diâmetro:2"

Categoria:Principal

Método do crescimento:CZ
2'' Semicondutor Wafer de Silício Espessura 279μm

Diâmetro:2"

Orientação:<1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>

Tipo/entorpecente:Tipo de P/boro, tipo de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Dispositivos MEMS Substratos de Silício Circuitos Integrados Dedicados

Diâmetro:2"

Categoria:Principal

Método do crescimento:CZ
Dispositivos da bolacha de silicone MEMS de JDCD06-001-003 4-Inch, circuitos integrados, carcaças dedicadas para dispositivos discretos

Diâmetro:4"

Categoria:Principal

Método do crescimento:CZ
JDCD06-001-002 Dispositivos MEMS de wafer de silício de 3 polegadas, circuitos integrados, substratos dedicados para dispositivos discretos

Diâmetro:3"

Categoria:Principal

Método do crescimento:CZ
Processamento de JDCD07-001-003 6-Inch SOI Epitaxial Wafer For MEMS

Orientação:<100>,<111>

Tipo/entorpecente:Tipo de P/boro, tipo de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb

Espessura (μm):300-725
JDCD07-001-004 Wafer epitaxial SOI de 7 polegadas para processamento de MEMS

Diâmetro:7"

Orientação:<100>,<111>

Tipo/entorpecente:Tipo de P/boro, tipo de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Processamento de JDCD07-001-002 5-Inch SOI Epitaxial Wafer For MEMS

Orientação:<100>,<111>

Tipo/entorpecente:Tipo de P/boro, tipo de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb

A uniformidade:<5>
JDCD07-001-001 Wafer epitaxial SOI de 4 polegadas para processamento de MEMS

Diâmetro:4"

Orientação:<100>,<111>

Tipo/entorpecente:Tipo de P/boro, tipo de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Dispositivos da bolacha de silicone MEMS de JDCD06-001-007 12-Inch, circuitos integrados, carcaças dedicadas para dispositivos discretos

Diâmetro:12"

Categoria:Principal

Método do crescimento:CZ
JDCD06-001-006 Dispositivos MEMS de wafer de silício de 8 polegadas, circuitos integrados, substratos dedicados para dispositivos discretos

Diâmetro:8"

Categoria:Principal

Método do crescimento:CZ

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775um 725um 675um dispositivos de semicondutor da bolacha de 8 polegadas

2'' Semicondutor Wafer de Silício Espessura 279μm

Dispositivos MEMS Substratos de Silício Circuitos Integrados Dedicados

Dispositivos da bolacha de silicone MEMS de JDCD06-001-003 4-Inch, circuitos integrados, carcaças dedicadas para dispositivos discretos

JDCD06-001-002 Dispositivos MEMS de wafer de silício de 3 polegadas, circuitos integrados, substratos dedicados para dispositivos discretos

Processamento de JDCD07-001-003 6-Inch SOI Epitaxial Wafer For MEMS

JDCD07-001-004 Wafer epitaxial SOI de 7 polegadas para processamento de MEMS

Processamento de JDCD07-001-002 5-Inch SOI Epitaxial Wafer For MEMS

JDCD07-001-001 Wafer epitaxial SOI de 4 polegadas para processamento de MEMS

Dispositivos da bolacha de silicone MEMS de JDCD06-001-007 12-Inch, circuitos integrados, carcaças dedicadas para dispositivos discretos

JDCD06-001-006 Dispositivos MEMS de wafer de silício de 8 polegadas, circuitos integrados, substratos dedicados para dispositivos discretos

GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara