Dispositivos MEMS Substratos de Silício Circuitos Integrados Dedicados

Name: Dispositivos MEMS Substratos de Silício Circuitos Integrados Dedicados
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD06-001-002
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

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Certificado

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificações

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Dispositivos MEMS Substratos de Silício Circuitos Integrados Dedicados

Imagem Grande : Dispositivos MEMS Substratos de Silício Circuitos Integrados Dedicados

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Suzhou China
Marca:	GaNova
Certificação:	UKAS/ISO9001:2015
Número do modelo:	JDCD06-001-002

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	1
Detalhes da embalagem:	Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 25 peças ou recipientes
Tempo de entrega:	3-4 dias da semana
Termos de pagamento:	T/T
Habilidade da fonte:	50000pcs/month

Contato

Dispositivos MEMS Substratos de Silício Circuitos Integrados Dedicados

descrição

Diâmetro:	2"	Categoria:	Principal
Método do crescimento:	CZ	Orientação:	<1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>
Tipo/entorpecente:	Tipo de P/boro, tipo de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb	Espessura (μm):	279
Tolerância da espessura:	± padrão 25μm, ± máximo 5μm das capacidades	resistividade:	0.001-100 ohm-cm
TTV (μm):	<10μm padrão, Capabilities<5μm máximo	Curva/urdidura:	<40μm padrão, Capabilities<20μm máximo
Destacar:	Dispositivos MEMS Substratos de silício , wafer de silício p tipo 111 , Circuitos integrados de substratos de silício

Dispositivos MEMS de wafer de silício de 2 polegadas, circuitos integrados, substratos dedicados para dispositivos discretos

Visão geral

Um wafer de silício é um material essencial para a fabricação de semicondutores, que estão presentes em todos os tipos de dispositivos eletrônicos que enriquecem nossas vidas.Poucos de nós têm a chance de encontrar uma bolacha de silício real na vida diária.
Uma bolacha de silício é uma fatia fina de cristal semicondutor, como um material feito de cristal de silício, que é de forma circular.

Especificação

bolacha de silício
Diâmetro	2"/3"/4"/5"/6"/8"/12"
Nota	Melhor
Crescimento Método	CZ
Orientação	<1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0>
Tipo/Dopante	Tipo P/Boro, Tipo N/Phos, Tipo N/As, Tipo N/Sb
Espessura (μm)	279/380/525/625/675/725/775
Grossura Tolerância	Padrão ± 25μm, Capacidade(s) Máxima(s) ± 5μm
Resistividade	0,001-100 ohm-cm
Superfície Finalizado	P/E,P/P,E/E,G/G
TTV(μm)	Padrão <10 μm, Capacidades Máximas <5 μm
arco/urdidura	Padrão <40 μm, Capacidades Máximas <20 μm
Partícula	<10@0,5μm;<10@0,3μm;<10@0,2μm;

Sobre nós

Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.

Perguntas frequentes

Q: você está negociando empresa ou fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é o seu tempo de entrega?
Geralmente leva de 3 a 5 dias se as mercadorias estiverem em estoque.
ou leva de 7 a 10 dias se as mercadorias não estiverem em estoque, é de acordo com a quantidade.
P: você fornece amostras?é gratuito ou extra?
Sim, podemos oferecer a amostra gratuitamente, mas não pagamos o custo do frete.
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Pagamento <=5000USD, 100% adiantado.
Pagadores >=5000USD, 80% T/T adiantado, saldo antes do envio.

etiqueta:

Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

Telefone: +8613372109561

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