Detalhes do produto:
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Diâmetro: | 4" | Orientação: | <100>,<111> |
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Tipo/entorpecente: | Tipo de P/boro, tipo de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb | Espessura (μm): | 300-725 |
resistividade: | 0.001-20000 Ohm-cm | De superfície terminado: | P/P, P/E |
Partícula: | <10> |
Wafer epitaxial SOI de 4 polegadas para processamento de MEMS
Visão geral
Embora os cristais de silício possam parecer metálicos, eles não são inteiramente metais.Devido aos "elétrons livres" que se movem facilmente entre os átomos, os metais são bons condutores de eletricidade, e a eletricidade é o movimento dos elétrons.Um cristal de silício puro, por outro lado, é quase um isolante;permitindo que muito pouca eletricidade passe por ele.No entanto, isso pode ser alterado por meio de um processo chamado doping.
Especificação
ENTÃO EU | |||||
Diâmetro | 4'' | 5'' | 6'' | 7'' | |
Camada de dispositivo |
dopante | Boro, Fos, Arsênico, Antimônio, Não dopado | |||
Orientação | <100>,<111> | ||||
Tipo | SIMOX, BESOI, Simbond, corte inteligente | ||||
Resistividade | 0,001-20000 Ohm-cm | ||||
Espessura (um) | 0,2-150 | ||||
A Uniformidade | <5% | ||||
Camada CAIXA | Espessura (um) | 0,4-3 | |||
Uniformidade | <2,5% | ||||
Substrato |
Orientação | <100>, <111> | |||
Tipo/Dopante | Tipo P/Boro , Tipo N/Phos, Tipo N/As, Tipo N/Sb | ||||
Espessura (um) | 300-725 | ||||
Resistividade | 0,001-20000 Ohm-cm | ||||
Superfície acabada | P/P, P/E | ||||
Partícula | <10@.0.3um |
Sobre nós
Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.
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