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bolacha de silicone

CHINA bolacha de silicone

Dispositivos da bolacha de silicone MEMS de JDCD06-001-005 6-Inch, circuitos integrados, carcaças dedicadas para dispositivos discretos

Diâmetro:6"

Categoria:Principal

Método do crescimento:CZ
JDCD06-001-004 Dispositivos MEMS de wafer de silício de 5 polegadas, circuitos integrados, substratos dedicados para dispositivos discretos

Diâmetro:5"

Categoria:Principal

Método do crescimento:CZ

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Sapphire Substrates modelada
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Máquina de cortar bolacha

sobre

GaN Epitaxial Wafer: o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI; O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm; Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial: Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um; Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um; Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara

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