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carcaças Undoped VGF S-C-N da bolacha 2inch GaAs do si de 18mm GaAs

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CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificações
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carcaças Undoped VGF S-C-N da bolacha 2inch GaAs do si de 18mm GaAs

carcaças Undoped VGF S-C-N da bolacha 2inch GaAs do si de 18mm GaAs
carcaças Undoped VGF S-C-N da bolacha 2inch GaAs do si de 18mm GaAs

Imagem Grande :  carcaças Undoped VGF S-C-N da bolacha 2inch GaAs do si de 18mm GaAs

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Suzhou China
Marca: GaNova
Certificação: UKAS/ISO9001:2015
Número do modelo: JDCD10-001-002
Condições de Pagamento e Envio:
Detalhes da embalagem: Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 25 peças ou recipientes
Tempo de entrega: 3-4 dias da semana
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 10000pcs/Month

carcaças Undoped VGF S-C-N da bolacha 2inch GaAs do si de 18mm GaAs

descrição
Nome do produto: Wafer GaAs-Si Método do crescimento: VGF
Tipo de Conduta: S-C-N DE Orientação: EJ[0-1-1]±0,5°
DE Comprimento (mm): 17±1 Orientação IF: EJ[0-11]±0,5°
Destacar:

bolacha do si de 18mm GaAs

,

Carcaças Undoped VGF do GaAs

,

Bolacha 2inch do si do GaAs

100) carcaças Undoped de 2inch GaAs (

Vista geral

O GaAs é usado frequentemente como um material da carcaça para o crescimento epitaxial de outros semicondutores de III-V, incluindo o arsenieto de gálio do índio, o arsenieto de gálio de alumínio e o outro.
O arsenieto de gálio (fórmula química GaAs) é um composto do semicondutor usado em algum diodo s, em transistor s do efeito de campo (FETs), e em circuito integrado s (CI). Os portador de carga, que são na maior parte o elétron s, movimento na alta velocidade entre o átomo S.

Bolacha do GaAs-si

Método do crescimento

VGF
Tipo da conduta S-C-N
Entorpecente GaAs-si
Orientação (100) 15°±0.5° fora de TowardA<111>
Ângulo da orientação
Da orientação EJ [0-1-1] ±0.5°
Do comprimento (milímetros) 17±1
SE orientação EJ [0-11] ±0.5°
SE comprimento (milímetros) 7±1
Diâmetro (milímetros) 50.8±0.2
Centímetro cúbico (/c.c.) 0.4E18~1E18
Resistividade (ohm.cm) N/A
Mobilidade (cm2/v.s) ≥1000
EPD (/cm2) ≤5000
Espessura (um) 350±20
TTV (um) <10>
TTR (um) <10>
Curve (um) <15>
Entorte (um) <15>
Superfície Side1: Side2 lustrado: Gravado
Empacotamento Gaveta ou único

Sobre nós

Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.

FAQ

Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
Geralmente é 3-5 dias se os bens estão no estoque.
ou é 7-10 dias se os bens não estão no estoque, ele é de acordo com a quantidade.
Q: Você fornece amostras? são livre ou extra?
Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas não pagamos o custo do frete.
Q: Que é seus termos de pagamento?
Pagamento <> >=5000USD do pagamento, 80% T/T adiantado, equilíbrio antes da expedição.

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

Telefone: +8613372109561

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