Wafer epitaxial de GaN essencial para a produção de chips de alta tensão e alta frequência

Descrição:

As wafers epiaxiais se referem a produtos formados pelo crescimento de uma nova camada de cristal único em um único substrato de cristal.As placas epiaxiais determinam cerca de 70% do desempenho dos dispositivos e são importantes matérias-primas para chips de semicondutoresOs fabricantes de wafers epiaxiais usam equipamentos de deposição de vapor químico (CVD), equipamentos de epitaxia de feixe molecular (MBE), equipamentos de HVPE, etc.para o cultivo de cristais e produção de wafers epitaxial em materiais de substratoOs wafers epitaxial são então fabricados em wafers através de processos como fotolitografia, deposição de filme fino e gravação.que passam por processos de embalagem, tais como fixação de substrato, instalação de envelopes protetores, ligação de fios entre os pinos do circuito do chip e os substratos externos, bem como ensaios de circuito, ensaios de desempenho,e outras etapas de teste para finalmente produzir o chipO processo de produção do chip acima precisa manter a interação com o processo de projeto do chip para garantir que o chip final atenda aos requisitos de projeto do chip.
Com base no desempenho do nitruro de gálio, as placas epitaxiais de nitruro de gálio são principalmente adequadas para aplicações de alta potência, alta frequência, média e baixa tensão, especificamente refletidas em:1) Largura de banda alta: A largura de banda elevada melhora o nível de resistência à tensão dos dispositivos de nitruro de gálio, que podem produzir uma potência superior aos dispositivos de arseniuro de gálio,especialmente adequado para estações de base de comunicação 5G, radar militar e outros campos; 2) Alta eficiência de conversão:A resistência de condução dos dispositivos eletrônicos de comutação de potência de nitruro de gálio é três ordens de grandeza inferior à dos dispositivos de silício, o que pode reduzir significativamente as perdas de condução do interruptor; 3) Alta condutividade térmica: A elevada condutividade térmica do nitreto de gálio confere-lhe um excelente desempenho de dissipação de calor,com um diâmetro superior a 20 mm,, alta temperatura e outros campos; 4) Força do campo elétrico de quebra: embora a força do campo elétrico de quebra do nitruro de gálio seja semelhante à do nitruro de silício,A tolerância de tensão dos dispositivos de nitruro de gálio é geralmente de cerca de 1000V devido a fatores como tecnologia de semicondutores e desajuste da rede do material, e a tensão de funcionamento segura é geralmente inferior a 650V

Especificações: