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semiconductor gallium arsenide wafer fabricação online

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Comprar Bolacha UKAS do si do GaAs da bolacha do composto 2inch GaAs Epi do semicondutor on-line fabricante

Bolacha UKAS do si do GaAs da bolacha do composto 2inch GaAs Epi do semicondutor
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GaAs-Si Wafer 2inch GaAs (100) Undoped Substrates (100)15°±0.5° Off TowardA Overview Gallium arsenide (chemical formula GaAs) is a semiconductor compound used in some diode s, field-effect transistor s (FETs), ... Leia mais
2022-09-27 17:18:19
Comprar carcaças Undoped VGF S-C-N da bolacha 2inch GaAs do si de 18mm GaAs on-line fabricante

carcaças Undoped VGF S-C-N da bolacha 2inch GaAs do si de 18mm GaAs
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2inch GaAs (100) Undoped Substrates Overview GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors, including indium gallium arsenide, aluminum gallium arsenide and ... Leia mais
2022-10-09 09:53:40
Comprar Wafer epitaxial de GaN essencial para a produção de chips de alta tensão e alta frequência on-line fabricante

Wafer epitaxial de GaN essencial para a produção de chips de alta tensão e alta frequência
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Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw ... Leia mais
2024-12-06 17:47:04
Comprar Wafer epitaxial de 2 ′′ 6 polegadas tipo N GaN em safira para dispositivo PIN a laser LED on-line fabricante

Wafer epitaxial de 2 ′′ 6 polegadas tipo N GaN em safira para dispositivo PIN a laser LED
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Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw ... Leia mais
2024-12-06 17:48:43
Comprar Nível P 260μm da bolacha de semicondutor de 2 polegadas para dispositivos da micro-ondas dos dispositivos de poder on-line fabricante

Nível P 260μm da bolacha de semicondutor de 2 polegadas para dispositivos da micro-ondas dos dispositivos de poder
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JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm for power devices and microwave devices Overview The unique electronic and thermal properties of silicon carbide (SiC) make it ideally suited for ... Leia mais
2022-10-24 10:25:55
Comprar 150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm Forma de cristal SiC Epitaxial Wafer 4H on-line fabricante

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm Forma de cristal SiC Epitaxial Wafer 4H
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150.0 mm +0mm/-0.2mm Sic Epitaxial Wafer Off-Axis:4°Toward ±0.5 ° JDCD03-001-004 Overview A SiC wafer is a semiconductor made of silicon. Its flatness, thermal conductivity, and electrical conductivity make it ... Leia mais
2022-10-24 10:20:57
Comprar 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm SiC Epitaxial Wafer 47,5 mm ± 1,5 mm on-line fabricante

150,0 mm +0 mm/-0,2 mm SiC Epitaxial Wafer 47,5 mm ± 1,5 mm
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150.0mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-004 SiC Epitaxial Wafer 47.5 mm ± 1.5 mm Overview Because SiC has a high thermal conductivity, SiC dissipates heat more rapidly than other semiconductor materials. This enables ... Leia mais
2022-10-24 10:23:40
Comprar 6 polegadas Tipo N Wafer P MOS Grau 4H SiC Substrato 350,0 ± 25,0um on-line fabricante

6 polegadas Tipo N Wafer P MOS Grau 4H SiC Substrato 350,0 ± 25,0um
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6inch 4H-SiC substrate N-Type P-MOS Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.2/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC is used for the fabrication of very high-voltage and high-power ... Leia mais
2022-10-24 10:21:10
Comprar JDCD10-001-002 Substratos dopados por GaAs (100) Si de 2 polegadas on-line fabricante

JDCD10-001-002 Substratos dopados por GaAs (100) Si de 2 polegadas
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2inch GaAs (100) Si-doped substrates Overview GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors, including indium gallium arsenide, aluminum gallium arsenide and ... Leia mais
2025-04-27 11:43:51
Comprar Sistema de recozimento RTP-SA-8 de processamento térmico rápido de produção on-line fabricante

Sistema de recozimento RTP-SA-8 de processamento térmico rápido de produção
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1.Basic configuration of equipment system 1.1outline The Rapid Thermal Processing is a vertical semi-automatic 8-inch wafer rapid annealing furnace, which uses two layers of infrared halogen lamps as heat ... Leia mais
2024-12-06 17:48:00
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GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

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Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

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